Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - masīvi > PMWD30UN,518
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
306957

PMWD30UN,518

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    PMWD30UN,518
  • Ražotājs / zīmols
    Freescale / NXP Semiconductors
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET 2N-CH 30V 5A 8TSSOP
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    PMWD30UN,518.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    700mV @ 1mA
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    8-TSSOP
  • Sērija
    TrenchMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    33 mOhm @ 3.5A, 4.5V
  • Jauda - maks
    2.3W
  • Iepakojums
    Cut Tape (CT)
  • Iepakojums / lieta
    8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • Citi vārdi
    568-2364-1
    PMWD30UN518
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    1478pF @ 10V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    28nC @ 5V
  • FET tips
    2 N-Channel (Dual)
  • FET iezīme
    Logic Level Gate
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    30V
  • Detalizēts apraksts
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5A 2.3W Surface Mount 8-TSSOP
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    5A

NXP Launches i.MX RT700 Crossover MCU for AI-Powered Edge D...

2024/10/8

NXP Unveils MC33777 Battery Junction Box IC for EV Safety a...

2024/09/26
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “PMWD30UN,518” saistītie produkti.
HP8S36TB

HP8S36TB

Apraksts: 30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET,

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
NVMFD5C672NLT1G

NVMFD5C672NLT1G

Apraksts: MOSFET 2N-CH 60V 49A S08FL

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
SI9945AEY-T1

SI9945AEY-T1

Apraksts: MOSFET 2N-CH 60V 3.7A 8SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
IRF7507PBF

IRF7507PBF

Apraksts: MOSFET N/P-CH DUAL 20V MICRO-8

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
PMWD26UN,518

PMWD26UN,518

Apraksts: MOSFET 2N-CH 20V 7.8A 8TSSOP

Ražotāji: NXP Semiconductors / Freescale
Noliktavā
RFQ
NTMFD4C88NT1G

NTMFD4C88NT1G

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 8DFN

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
SI7945DP-T1-E3

SI7945DP-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2P-CH 30V 7A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
PMWD15UN,518

PMWD15UN,518

Apraksts: MOSFET 2N-CH 20V 11.6A 8TSSOP

Ražotāji: NXP Semiconductors / Freescale
Noliktavā
RFQ
SSM6P41FE(TE85L,F)

SSM6P41FE(TE85L,F)

Apraksts: MOSFET 2P-CH 20V 0.72A ES6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
PMWD20XN,118

PMWD20XN,118

Apraksts: MOSFET 2N-CH 20V 10.4A 8TSSOP

Ražotāji: NXP Semiconductors / Freescale
Noliktavā
RFQ
PMWD19UN,518

PMWD19UN,518

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP

Ražotāji: NXP Semiconductors / Freescale
Noliktavā
RFQ
NX7002AKS/ZLX

NX7002AKS/ZLX

Apraksts: MOSFET 2 N-CH 60V 170MA SOT363

Ražotāji: Nexperia
Noliktavā
RFQ
CSD87381P

CSD87381P

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 15A 5PTAB

Ražotāji: Luminary Micro / Texas Instruments
Noliktavā
RFQ
DMG4511SK4-13

DMG4511SK4-13

Apraksts: MOSFET N/P-CH 35V TO252-4L

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
CSD87351ZQ5D

CSD87351ZQ5D

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 32A 8LSON

Ražotāji: Luminary Micro / Texas Instruments
Noliktavā
RFQ
DMN3016LDN-13

DMN3016LDN-13

Apraksts: MOSFET 2 N-CH 9.2A VDFN3030-8

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
PMWD16UN,518

PMWD16UN,518

Apraksts: MOSFET 2N-CH 20V 9.9A 8TSSOP

Ražotāji: NXP Semiconductors / Freescale
Noliktavā
RFQ
SQ4940AEY-T1_GE3

SQ4940AEY-T1_GE3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
NTMFD5C674NLT1G

NTMFD5C674NLT1G

Apraksts: T6 60V LL S08FL DS

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
APTC60DDAM45CT1G

APTC60DDAM45CT1G

Apraksts: MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.