Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - masīvi > HP8S36TB
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
3618693HP8S36TB attēlsLAPIS Semiconductor

HP8S36TB

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$1.51
10+
$1.337
100+
$1.057
500+
$0.82
1000+
$0.647
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    HP8S36TB
  • Ražotājs / zīmols
    LAPIS Technology
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET,
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    1.HP8S36TB.pdf
    2.HP8S36TB.pdf
  • ECAD modelis
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    8-HSOP
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.4 mOhm @ 32A, 10V
  • Jauda - maks
    29W
  • Iepakojums
    Original-Reel®
  • Iepakojums / lieta
    8-PowerTDFN
  • Citi vārdi
    HP8S36TBDKR
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    40 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    6100pF @ 15V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    47nC @ 4.5V
  • FET tips
    2 N-Channel (Half Bridge)
  • FET iezīme
    -
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    30V
  • Detalizēts apraksts
    Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 27A, 80A 29W Surface Mount 8-HSOP
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    27A, 80A

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “HP8S36TB” saistītie produkti.
IRF8313PBF

IRF8313PBF

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
APTM50DUM19G

APTM50DUM19G

Apraksts: MOSFET 2N-CH 500V 163A SP6

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
BSL308CH6327XTSA1

BSL308CH6327XTSA1

Apraksts: MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A 6TSOP

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
HP8060-9RG

HP8060-9RG

Apraksts: POWER SUPPLYHP8060-9RGDC-DCIN 16

Ražotāji: Bel
Noliktavā
RFQ
FDS6911

FDS6911

Apraksts: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
NTJD2152PT2

NTJD2152PT2

Apraksts: MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SOT-363

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
APTMC120TAM12CTPAG

APTMC120TAM12CTPAG

Apraksts: MOSFET 6N-CH 1200V 220A SP6P

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
DMC4029SSD-13

DMC4029SSD-13

Apraksts: MOSFET N/P-CH 40V 7A/5.1A 8SO

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
HP8KA1TB

HP8KA1TB

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 14A HSOP8

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
UPA2672T1R-E2-AX

UPA2672T1R-E2-AX

Apraksts: MOSFET 2P-CH 12V 4A 6HUSON

Ražotāji: Renesas Electronics America
Noliktavā
RFQ
SI4214DDY-T1-E3

SI4214DDY-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8SO

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
AO4612L

AO4612L

Apraksts: MOSFET N/P-CH 60V 8SOIC

Ražotāji: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Noliktavā
RFQ
IPG20N06S4L14AATMA1

IPG20N06S4L14AATMA1

Apraksts: MOSFET 2N-CH 8TDSON

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
SI3590DV-T1-E3

SI3590DV-T1-E3

Apraksts: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
HP8K22TB

HP8K22TB

Apraksts: 30V NCH+NCH MID POWER MOSFET

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
IRF7103TRPBF

IRF7103TRPBF

Apraksts: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
FDY1002PZ

FDY1002PZ

Apraksts: MOSFET 2P-CH 20V 0.83A SC89-6

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
DMP2100UCB9-7

DMP2100UCB9-7

Apraksts: MOSFET 2P-CH 20V 3A 9UWLB

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
GWM120-0075P3-SL

GWM120-0075P3-SL

Apraksts: MOSFET 6N-CH 75V 118A ISOPLUS

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
ECH8651R-TL-H

ECH8651R-TL-H

Apraksts: MOSFET 2N-CH 24V 10A ECH8

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsJaunumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.