Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Diodes - taisngrieži - vieni > JAN1N6661US
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
594513JAN1N6661US attēlsMicrosemi Corporation

JAN1N6661US

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    JAN1N6661US
  • Ražotājs / zīmols
    Microsemi
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    DIODE GEN PURP 225V 500MA D5A
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Satur svina / RoHS neatbilstību
  • Spriegums - maksimālais reverss (maksimālais)
    Standard
  • Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja
    500mA
  • Spriegums - sadalījums
    D-5A
  • Sērija
    Military, MIL-PRF-19500/587
  • RoHS statuss
    Bulk
  • Reverss atkopšanas laiks (trr)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Pretestība @ Ja F,
    -
  • Polarizācija
    SQ-MELF, A
  • Citi vārdi
    1086-16019
    1086-16019-MIL
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja daļas numurs
    JAN1N6661US
  • Paplašināts apraksts
    Diode Standard 225V 500mA Surface Mount D-5A
  • Diode konfigurācija
    50nA @ 225V
  • Apraksts
    DIODE GEN PURP 225V 500MA D5A
  • Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr
    1V @ 400mA
  • Pašreizējais - vidējais rektificēts (Io) (par diodi)
    225V
  • Ietilpība @ Vr, F
    -65°C ~ 175°C

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “JAN1N6661US” saistītie produkti.
JAN1N6660DT1

JAN1N6660DT1

Apraksts: DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO254AA

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N7037CCU1

JAN1N7037CCU1

Apraksts: DIODE SCHOTTKY 35A 100V SMD

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6761UR-1

JAN1N6761UR-1

Apraksts: DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO213AB

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
RFQ
JAN1N6642US

JAN1N6642US

Apraksts: DIODE GEN PURP 75V 300MA D5D

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N7043CCT1

JAN1N7043CCT1

Apraksts: RECTIFIER

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6677UR-1

JAN1N6677UR-1

Apraksts: DIODE SCHOTTKY 40V 200MA DO213AA

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
RFQ
JAN1N6843CCU3

JAN1N6843CCU3

Apraksts: DIODE GEN PURP 50V 300MA U3

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
RFQ
JAN1N7043CAT1

JAN1N7043CAT1

Apraksts: RECTIFIER

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6844U3

JAN1N6844U3

Apraksts: DIODE SCHOTTKY 100V 15A U3

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6642UBD

JAN1N6642UBD

Apraksts: DIODE GEN PURP 75V 300MA UB

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6642UBCC

JAN1N6642UBCC

Apraksts: DIODE GEN PURP 75V 300MA UB

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N7039CCT1

JAN1N7039CCT1

Apraksts: DIODE SCHOTTKY 150V 35A TO254

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6643US

JAN1N6643US

Apraksts: DIODE GEN PURP 50V 300MA D-MELF

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6660CAT1

JAN1N6660CAT1

Apraksts: DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO254AA

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6660CCT1

JAN1N6660CCT1

Apraksts: DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO254AA

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6845U3

JAN1N6845U3

Apraksts: DIODE SCHOTTKY 45V 30A U3

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
RFQ
JAN1N6674R

JAN1N6674R

Apraksts: DIODE GEN PURP 500V 15A D5D

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6660

JAN1N6660

Apraksts: DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO254AA

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6643

JAN1N6643

Apraksts: DIODE GEN PURP 50V 300MA AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6643US

JAN1N6643US

Apraksts: .3A ULTRA FAST 75V

Ražotāji: Semtech
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.