Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Diodes - taisngrieži - vieni > JAN1N6643
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
4009733

JAN1N6643

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
129+
$7.937
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    JAN1N6643
  • Ražotājs / zīmols
    Microsemi
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    DIODE GEN PURP 50V 300MA AXIAL
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Satur svina / RoHS neatbilstību
  • Datu lapas
    JAN1N6643.pdf
  • Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja
    1.2V @ 100mA
  • Spriegums - DC reversais (Vr) (maksimālais)
    50V
  • Ātrums
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Sērija
    Military, MIL-PRF-19500/578
  • Reverss atkopšanas laiks (trr)
    6ns
  • Iepakojums
    Bulk
  • Iepakojums / lieta
    D, Axial
  • Citi vārdi
    1086-20040
    1086-20040-MIL
  • Darba temperatūra - savienojums
    -65°C ~ 175°C
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    8 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diode tips
    Standard
  • Detalizēts apraksts
    Diode Standard 50V 300mA Through Hole
  • Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr
    500nA @ 75V
  • Pašreizējais - vidējais labojums (Io)
    300mA
  • Ietilpība @ Vr, F
    5pF @ 0V, 1MHz

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

2024/11/26
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “JAN1N6643” saistītie produkti.
JAN1N6643US

JAN1N6643US

Apraksts: .3A ULTRA FAST 75V

Ražotāji: Semtech
Noliktavā
RFQ
JAN1N6642UB2

JAN1N6642UB2

Apraksts: DIODE GEN PURP 75V 300MA UB2

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6660CCT1

JAN1N6660CCT1

Apraksts: DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO254AA

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6642

JAN1N6642

Apraksts: DIODE GEN PURP 75V 300MA AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6677UR-1

JAN1N6677UR-1

Apraksts: DIODE SCHOTTKY 40V 200MA DO213AA

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
RFQ
JAN1N6642UB

JAN1N6642UB

Apraksts: DIODE GEN PURP 75V 300MA UB

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6661US

JAN1N6661US

Apraksts: DIODE GEN PURP 225V 500MA D5A

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
RFQ
JAN1N6660DT1

JAN1N6660DT1

Apraksts: DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO254AA

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6642US

JAN1N6642US

Apraksts: DIODE GEN PURP 75V 300MA D5D

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6674R

JAN1N6674R

Apraksts: DIODE GEN PURP 500V 15A D5D

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6642U

JAN1N6642U

Apraksts: DIODE GEN PURP 75V 300MA D5D

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6761UR-1

JAN1N6761UR-1

Apraksts: DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO213AB

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
RFQ
JAN1N6641US

JAN1N6641US

Apraksts: DIODE GEN PURP 50V 300MA B-MELF

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6642UBD

JAN1N6642UBD

Apraksts: DIODE GEN PURP 75V 300MA UB

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6643US

JAN1N6643US

Apraksts: DIODE GEN PURP 50V 300MA D-MELF

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6660

JAN1N6660

Apraksts: DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO254AA

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6642UB2R

JAN1N6642UB2R

Apraksts: DIODE GEN PURP 75V 300MA UB2

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6642UBCA

JAN1N6642UBCA

Apraksts: DIODE GEN PURP 75V 300MA UB

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6660CAT1

JAN1N6660CAT1

Apraksts: DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO254AA

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6642UBCC

JAN1N6642UBCC

Apraksts: DIODE GEN PURP 75V 300MA UB

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.