Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - IGBTs - moduļi > APT85GR120J
Pieprasīt citātu
Latviešu
6275259APT85GR120J attēlsMicrosemi

APT85GR120J

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$35.54
10+
$32.871
30+
$30.205
100+
$28.073
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    APT85GR120J
  • Ražotājs / zīmols
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
  • ECAD modelis
  • Spriegums - savācēja emisijas sadalījums (maksimālais)
    1200V
  • Vce (par) (maksimālais) @ Vge, Ic
    3.2V @ 15V, 85A
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    SOT-227
  • Sērija
    -
  • Jauda - maks
    543W
  • Iepakojums / lieta
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • NTC termistors
    No
  • Montāžas tips
    Chassis Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    17 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Cies) @ Vce
    8.4nF @ 25V
  • Ievade
    Standard
  • IGBT tips
    NPT
  • Detalizēts apraksts
    IGBT Module NPT Single 1200V 116A 543W Chassis Mount SOT-227
  • Current - Collector Cutoff (Maks.)
    1mA
  • Pašreizējais - savācējs (Ic) (maksimālais)
    116A
  • Konfigurācija
    Single
APT84M50L

APT84M50L

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 84A TO-264

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT84F50B2

APT84F50B2

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 84A TO-247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT85GR120B2

APT85GR120B2

Apraksts: IGBT 1200V 170A 962W TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT80SM120J

APT80SM120J

Apraksts: POWER MOSFET - SIC

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT84M50B2

APT84M50B2

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 84A T-MAX

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT95GR65B2

APT95GR65B2

Apraksts: IGBT 650V 208A 892W T-MAX

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT85GR120L

APT85GR120L

Apraksts: IGBT 1200V 170A 962W TO264

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT94N60L2C3G

APT94N60L2C3G

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 94A TO264

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT80M60J

APT80M60J

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT84F50L

APT84F50L

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 84A TO-264

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT94N65B2C6

APT94N65B2C6

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 95A T-MAX

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT80SM120S

APT80SM120S

Apraksts: POWER MOSFET - SIC

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT8M80K

APT8M80K

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 8A TO-220

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT90DR160HJ

APT90DR160HJ

Apraksts: DIODE MODULE 1.6V SOT227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT94N65B2C3G

APT94N65B2C3G

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 94A TO-247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT85GR120JD60

APT85GR120JD60

Apraksts: IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT8DQ60KCTG

APT8DQ60KCTG

Apraksts: DIODE ARRAY GP 600V 8A TO220

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT80GP60J

APT80GP60J

Apraksts: IGBT 600V 151A 462W SOT227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT80SM120B

APT80SM120B

Apraksts: POWER MOSFET - SIC

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT8M100B

APT8M100B

Apraksts: MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā

Review (1)

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu