Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > APT80SM120J
Pieprasīt citātu
Latviešu
2367220

APT80SM120J

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    APT80SM120J
  • Ražotājs / zīmols
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    POWER MOSFET - SIC
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • ECAD modelis
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    +25V, -10V
  • Tehnoloģija
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    SOT-227
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    55 mOhm @ 40A, 20V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    273W (Tc)
  • Iepakojums
    Bulk
  • Iepakojums / lieta
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Chassis Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    235nC @ 20V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    20V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    1200V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 1200V 51A (Tc) 273W (Tc) Chassis Mount SOT-227
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    51A (Tc)
APT80GA90B

APT80GA90B

Apraksts: IGBT 900V 145A 625W TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT80GA60B

APT80GA60B

Apraksts: IGBT 600V 143A 625W TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT85GR120J

APT85GR120J

Apraksts: IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT8024LLLG

APT8024LLLG

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 31A TO-264

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT85GR120B2

APT85GR120B2

Apraksts: IGBT 1200V 170A 962W TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT80SM120B

APT80SM120B

Apraksts: POWER MOSFET - SIC

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT8DQ60KCTG

APT8DQ60KCTG

Apraksts: DIODE ARRAY GP 600V 8A TO220

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT80F60J

APT80F60J

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT84F50B2

APT84F50B2

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 84A TO-247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT84M50L

APT84M50L

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 84A TO-264

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT85GR120L

APT85GR120L

Apraksts: IGBT 1200V 170A 962W TO264

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT80GA60LD40

APT80GA60LD40

Apraksts: IGBT 600V 143A 625W TO264

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT80SM120S

APT80SM120S

Apraksts: POWER MOSFET - SIC

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT85GR120JD60

APT85GR120JD60

Apraksts: IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT80M60J

APT80M60J

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT80GP60J

APT80GP60J

Apraksts: IGBT 600V 151A 462W SOT227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT84F50L

APT84F50L

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 84A TO-264

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT80GA90LD40

APT80GA90LD40

Apraksts: IGBT 900V 145A 625W TO-264

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT84M50B2

APT84M50B2

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 84A T-MAX

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT8075BN

APT8075BN

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 13A TO247AD

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā

Review (1)

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu