Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

*Kompānijas nosaukums
*Nosaukt
*Tituls

*Epasta adrese
*Tālruņa numurs

*Valsts
*Kontakta logs
*Notikuma datums

*Ziņa

Apmeklētājiem elektronikā 2024

Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.

Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - IGBTs - vieni > APT75GN60BG

RFQs/pasūtījums (0)

Latviešu

Latviešu

1618156

APT75GN60BG attēls

Microsemi

APT75GN60BG

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā

1+

$8.49

10+

$7.639

30+

$6.96

120+

$6.281

270+

$5.772

510+

$5.262

1020+

$4.583

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

APT75GN60BG
Ražotājs / zīmols

Microsemi
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

IGBT 600V 155A 536W TO247
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

1.APT75GN60BG.pdf
2.APT75GN60BG.pdf
Spriegums - savācēja emisijas sadalījums (maksimālais)

600V
Vce (par) (maksimālais) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 75A
Testa stāvoklis

400V, 75A, 1 Ohm, 15V
Td (ieslēgts / izslēgts) @ 25 ° C

47ns/385ns
Pārslēgšanas enerģija

2500µJ (on), 2140µJ (off)
Piegādātāja ierīču komplekts

TO-247 [B]
Sērija

-
Jauda - maks

536W
Iepakojums

Tube
Iepakojums / lieta

TO-247-3
Darbības temperatūra

-55°C ~ 175°C (TJ)
Montāžas tips

Through Hole
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Ražotāja standarta svina laiks

18 Weeks
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Lead free / RoHS Compliant
Ievades veids

Standard
IGBT tips

Trench Field Stop
Vārtu iekasēšana

485nC
Detalizēts apraksts

IGBT Trench Field Stop 600V 155A 536W Through Hole TO-247 [B]
Pašreizējais - impulsu savācējs (Icm)

225A
Pašreizējais - savācējs (Ic) (maksimālais)

155A

Saistītās ziņas
Piegāde
Maksājums

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

What is an embedded system?

Pārvadāšana

Maksājums

Šis ir ar “APT75GN60BG” saistītie produkti.

APT75GN60LDQ3G

Apraksts: IGBT 600V 155A 536W TO264

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APT75F50B2

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 75A TO-247

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APT75GT120JRDQ3

APT75GT120JRDQ3

Apraksts: IGBT 1200V 97A 480W SOT227

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APT75F50L

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 75A TO-264

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APT75GP120J

Apraksts: IGBT 1200V 128A 543W SOT227

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APT75GN120B2G

Apraksts: IGBT 1200V 200A 833W TMAX

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APT75M50L

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 75A TO-264

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APT75M50B2

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 75A T-MAX

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APT75GN120LG

Apraksts: IGBT 1200V 200A 833W TO264

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APT75GN60B2DQ3G

APT75GN60B2DQ3G

Apraksts: IGBT 600V 155A 536W TO264

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APT75GP120B2G

Apraksts: IGBT 1200V 100A 1042W TMAX

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APT75DQ120BG

Apraksts: DIODE GEN PURP 1.2KV 75A TO247

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APT75GT120JU2

Apraksts: IGBT 1200V 100A 416W SOT227

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APT75GN120JDQ3G

APT75GN120JDQ3G

Apraksts: IGBT 1200V 124A 379W SOT227

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APT77N60BC6

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 77A TO-247

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APT75GP120JDQ3

Apraksts: IGBT 1200V 128A 543W SOT227

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APT75GT120JU3

Apraksts: POWER MOD IGBT 1200V 100A SOT227

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APT75GN120JDQ3

Apraksts: IGBT 1200V 124A 379W SOT227

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APT75DQ60BG

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 75A TO247

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APT75GN120J

Apraksts: IGBT 1200V 124A 379W SOT227

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.

Seko mums

Noteikumi Pārkāpuma politika Pieprasiet cenu Par mums Sazinies ar mums Vietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.