Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > APT75M50B2
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
2548077APT75M50B2 attēlsMicrosemi

APT75M50B2

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    APT75M50B2
  • Ražotājs / zīmols
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 500V 75A T-MAX
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 2.5mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    T-MAX™
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    75 mOhm @ 37A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    1040W (Tc)
  • Iepakojums
    Tube
  • Iepakojums / lieta
    TO-247-3 Variant
  • Citi vārdi
    APT75M50B2MI
    APT75M50B2MI-ND
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    11600pF @ 25V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    290nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    500V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 500V 75A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole T-MAX™
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    75A (Tc)
APT7F120B

APT7F120B

Apraksts: MOSFET N-CH 1200V 7A TO-247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT77N60BC6

APT77N60BC6

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 77A TO-247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT77N60SC6

APT77N60SC6

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 77A D3PAK

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT7M120B

APT7M120B

Apraksts: MOSFET N-CH 1200V 8A TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT75GT120JU2

APT75GT120JU2

Apraksts: IGBT 1200V 100A 416W SOT227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT75M50L

APT75M50L

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 75A TO-264

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT75GP120J

APT75GP120J

Apraksts: IGBT 1200V 128A 543W SOT227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT7F80K

APT7F80K

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 7A TO-220

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT77N60JC3

APT77N60JC3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 77A SOT-227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT75GN60LDQ3G

APT75GN60LDQ3G

Apraksts: IGBT 600V 155A 536W TO264

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT75GN60B2DQ3G

APT75GN60B2DQ3G

Apraksts: IGBT 600V 155A 536W TO264

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT75GN120LG

APT75GN120LG

Apraksts: IGBT 1200V 200A 833W TO264

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT75GT120JU3

APT75GT120JU3

Apraksts: POWER MOD IGBT 1200V 100A SOT227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT7M120S

APT7M120S

Apraksts: MOSFET N-CH 1200V 8A D3PAK

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT75GT120JRDQ3

APT75GT120JRDQ3

Apraksts: IGBT 1200V 97A 480W SOT227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT75GP120B2G

APT75GP120B2G

Apraksts: IGBT 1200V 100A 1042W TMAX

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT7F100B

APT7F100B

Apraksts: MOSFET N-CH 1000V 7A TO-247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT8014JLL

APT8014JLL

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 42A SOT-227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT75GP120JDQ3

APT75GP120JDQ3

Apraksts: IGBT 1200V 128A 543W SOT227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT75GN60BG

APT75GN60BG

Apraksts: IGBT 600V 155A 536W TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu