Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

*Kompānijas nosaukums
*Nosaukt
*Tituls

*Epasta adrese
*Tālruņa numurs

*Valsts
*Kontakta logs
*Notikuma datums

*Ziņa

Apmeklētājiem elektronikā 2024

Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.

Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - IGBTs - vieni > APT35GN120BG

RFQs/pasūtījums (0)

Latviešu

Latviešu

6930899

APT35GN120BG attēls

Microsemi

APT35GN120BG

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā

1+

$10.20

10+

$9.181

30+

$8.365

120+

$7.549

270+

$6.937

510+

$6.325

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

APT35GN120BG
Ražotājs / zīmols

Microsemi
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

IGBT 1200V 94A 379W TO247
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

1.APT35GN120BG.pdf
2.APT35GN120BG.pdf
Spriegums - savācēja emisijas sadalījums (maksimālais)

1200V
Vce (par) (maksimālais) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 35A
Testa stāvoklis

800V, 35A, 2.2 Ohm, 15V
Td (ieslēgts / izslēgts) @ 25 ° C

24ns/300ns
Pārslēgšanas enerģija

2.315mJ (off)
Piegādātāja ierīču komplekts

TO-247 [B]
Sērija

-
Jauda - maks

379W
Iepakojums

Tube
Iepakojums / lieta

TO-247-3
Citi vārdi

APT35GN120BGMI
APT35GN120BGMI-ND
Darbības temperatūra

-55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips

Through Hole
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Ražotāja standarta svina laiks

18 Weeks
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Lead free / RoHS Compliant
Ievades veids

Standard
IGBT tips

NPT, Trench Field Stop
Vārtu iekasēšana

220nC
Detalizēts apraksts

IGBT NPT, Trench Field Stop 1200V 94A 379W Through Hole TO-247 [B]
Pašreizējais - impulsu savācējs (Icm)

105A
Pašreizējais - savācējs (Ic) (maksimālais)

94A

Saistītās ziņas
Piegāde
Maksājums

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

What is an embedded system?

Pārvadāšana

Maksājums

Šis ir ar “APT35GN120BG” saistītie produkti.

APT34F60BG

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 34A TO-247

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APT36GA60B

Apraksts: IGBT 600V 65A 290W TO-247

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APT35SM70S

APT35SM70S

Apraksts: MOSFET N-CH 700V D3PAK

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APT34N80LC3G

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 34A TO-264

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APT35GA90B

Apraksts: IGBT 900V 63A 290W TO-247

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APT35GN120L2DQ2G

APT35GN120L2DQ2G

Apraksts: IGBT 1200V 94A 379W TO264

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APT35GT120JU2

Apraksts: IGBT 1200V 35A 260W SOT-227

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APT34F60B

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 34A TO-247

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APT35GP120J

Apraksts: IGBT 1200V 64A 284W SOT227

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APT35GT120JU3

Apraksts: IGBT 1200V 55A 260W SOT227

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APT35DL120HJ

Apraksts: DIODE MODULE 1.2KV SOT227

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APT34M60B

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 36A TO-247

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APT35GP120B2DQ2G

APT35GP120B2DQ2G

Apraksts: IGBT 1200V 96A 543W TMAX

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APT35GP120JDQ2

Apraksts: IGBT 1200V 64A 284W SOT227

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APT34N80B2C3G

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APT35SM70B

APT35SM70B

Apraksts: MOSFET N-CH 700V TO247

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APT35GP120BG

Apraksts: IGBT 1200V 96A 543W TO247

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APT34M120J

Apraksts: MOSFET N-CH 1200V 34A SOT-227

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APT35GA90BD15

Apraksts: IGBT 900V 63A 290W TO247

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APT34F100L

Apraksts: MOSFET N-CH 1000V 35A TO264

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.

Seko mums

Noteikumi Pārkāpuma politika Pieprasiet cenu Par mums Sazinies ar mums Vietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.