Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > APT34N80B2C3G
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
876410APT34N80B2C3G attēlsMicrosemi

APT34N80B2C3G

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$13.14
30+
$11.046
120+
$10.15
510+
$8.657
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    APT34N80B2C3G
  • Ražotājs / zīmols
    Microsemi
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    1.APT34N80B2C3G.pdf
    2.APT34N80B2C3G.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3.9V @ 2mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    T-MAX™ [B2]
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    145 mOhm @ 22A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    417W (Tc)
  • Iepakojums
    Tube
  • Iepakojums / lieta
    TO-247-3 Variant
  • Citi vārdi
    APT34N80B2C3GMI
    APT34N80B2C3GMI-ND
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    12 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    4510pF @ 25V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    355nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    800V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 800V 34A (Tc) 417W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    34A (Tc)

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “APT34N80B2C3G” saistītie produkti.
APT35GN120L2DQ2G

APT35GN120L2DQ2G

Apraksts: IGBT 1200V 94A 379W TO264

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT35GP120JDQ2

APT35GP120JDQ2

Apraksts: IGBT 1200V 64A 284W SOT227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT34F100B2

APT34F100B2

Apraksts: MOSFET N-CH 1000V 35A T-MAX

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT34M120J

APT34M120J

Apraksts: MOSFET N-CH 1200V 34A SOT-227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT34F100L

APT34F100L

Apraksts: MOSFET N-CH 1000V 35A TO264

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT34F60B

APT34F60B

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 34A TO-247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT33N90JCU3

APT33N90JCU3

Apraksts: MOSFET N-CH 900V 33A SOT227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT35DL120HJ

APT35DL120HJ

Apraksts: DIODE MODULE 1.2KV SOT227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT35GA90BD15

APT35GA90BD15

Apraksts: IGBT 900V 63A 290W TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT35GP120BG

APT35GP120BG

Apraksts: IGBT 1200V 96A 543W TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT35GA90B

APT35GA90B

Apraksts: IGBT 900V 63A 290W TO-247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT33N90JCCU2

APT33N90JCCU2

Apraksts: MOSFET N-CH 900V 33A SOT227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT34N80LC3G

APT34N80LC3G

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 34A TO-264

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT33N90JCU2

APT33N90JCU2

Apraksts: MOSFET N-CH 900V 33A SOT227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT34F60BG

APT34F60BG

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 34A TO-247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT35GN120BG

APT35GN120BG

Apraksts: IGBT 1200V 94A 379W TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT33N90JCCU3

APT33N90JCCU3

Apraksts: MOSFET N-CH 900V 33A SOT227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT35GP120B2DQ2G

APT35GP120B2DQ2G

Apraksts: IGBT 1200V 96A 543W TMAX

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT34M60B

APT34M60B

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 36A TO-247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT35GP120J

APT35GP120J

Apraksts: IGBT 1200V 64A 284W SOT227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.