Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - IGBTs - vieni > APT30GP60BG
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
2845448APT30GP60BG attēlsMicrosemi

APT30GP60BG

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$10.68
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    APT30GP60BG
  • Ražotājs / zīmols
    Microsemi
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    IGBT 600V 100A 463W TO247
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    APT30GP60BG.pdf
  • Spriegums - savācēja emisijas sadalījums (maksimālais)
    600V
  • Vce (par) (maksimālais) @ Vge, Ic
    2.7V @ 15V, 30A
  • Testa stāvoklis
    400V, 30A, 5 Ohm, 15V
  • Td (ieslēgts / izslēgts) @ 25 ° C
    13ns/55ns
  • Pārslēgšanas enerģija
    260µJ (on), 250µJ (off)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    TO-247 [B]
  • Sērija
    POWER MOS 7®
  • Jauda - maks
    463W
  • Iepakojums
    Tube
  • Iepakojums / lieta
    TO-247-3
  • Citi vārdi
    APT30GP60BGMP
    APT30GP60BGMP-ND
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades veids
    Standard
  • IGBT tips
    PT
  • Vārtu iekasēšana
    90nC
  • Detalizēts apraksts
    IGBT PT 600V 100A 463W Through Hole TO-247 [B]
  • Pašreizējais - impulsu savācējs (Icm)
    100A
  • Pašreizējais - savācējs (Ic) (maksimālais)
    100A

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “APT30GP60BG” saistītie produkti.
APT30GS60KRG

APT30GS60KRG

Apraksts: IGBT 600V 54A 250W TO220

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT30GP60BDQ1G

APT30GP60BDQ1G

Apraksts: IGBT 600V 100A 463W TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT30GT60KRG

APT30GT60KRG

Apraksts: IGBT 600V 64A 250W TO220

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT30GF60JU2

APT30GF60JU2

Apraksts: IGBT 600V 58A 192W SOT227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT30F50B

APT30F50B

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 30A TO-247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT30F60J

APT30F60J

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 31A SOT-227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT30M19JVR

APT30M19JVR

Apraksts: MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT30GN60BDQ2G

APT30GN60BDQ2G

Apraksts: IGBT 600V 63A 203W TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT30GT60BRDQ2G

APT30GT60BRDQ2G

Apraksts: IGBT 600V 64A 250W TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT30GF60JU3

APT30GF60JU3

Apraksts: IGBT 600V 58A 192W SOT227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT30GP60B2DLG

APT30GP60B2DLG

Apraksts: IGBT 600V 100A 463W TMAX

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT30DS60BG

APT30DS60BG

Apraksts: DIODE ARRAY GP 600V 20A TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT30GS60BRDQ2G

APT30GS60BRDQ2G

Apraksts: IGBT 600V 54A 250W SOT227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT30GP60LDLG

APT30GP60LDLG

Apraksts: IGBT 600V 100A 463W TO264

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT30GT60BRG

APT30GT60BRG

Apraksts: IGBT 600V 64A 250W TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT30GS60BRDLG

APT30GS60BRDLG

Apraksts: IGBT 600V 54A 250W TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT30M19JVFR

APT30M19JVFR

Apraksts: MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT30GN60BG

APT30GN60BG

Apraksts: IGBT 600V 63A 203W TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT30F50S

APT30F50S

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 30A D3PAK

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT30GP60JDQ1

APT30GP60JDQ1

Apraksts: IGBT 600V 67A 245W SOT227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.