Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > APT30F50B
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
705479APT30F50B attēlsMicrosemi

APT30F50B

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$7.45
30+
$6.108
120+
$5.512
510+
$4.618
1020+
$4.022
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    APT30F50B
  • Ražotājs / zīmols
    Microsemi
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 500V 30A TO-247
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    1.APT30F50B.pdf
    2.APT30F50B.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    TO-247 [B]
  • Sērija
    POWER MOS 8™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    190 mOhm @ 14A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    415W (Tc)
  • Iepakojums
    Tube
  • Iepakojums / lieta
    TO-247-3
  • Citi vārdi
    APT30F50BMP
    APT30F50BMP-ND
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    20 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    4525pF @ 25V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    115nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    500V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 500V 30A (Tc) 415W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    30A (Tc)

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

2024/11/23

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

2024/11/22

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “APT30F50B” saistītie produkti.
APT30GF60JU3

APT30GF60JU3

Apraksts: IGBT 600V 58A 192W SOT227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT30GN60BG

APT30GN60BG

Apraksts: IGBT 600V 63A 203W TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT30F50S

APT30F50S

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 30A D3PAK

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT30GF60JU2

APT30GF60JU2

Apraksts: IGBT 600V 58A 192W SOT227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT30GP60BDQ1G

APT30GP60BDQ1G

Apraksts: IGBT 600V 100A 463W TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT30DQ120BG

APT30DQ120BG

Apraksts: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT30DQ60BCTG

APT30DQ60BCTG

Apraksts: DIODE ARRAY GP 600V 30A TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT30DQ60BHBG

APT30DQ60BHBG

Apraksts: DIODE ARRAY GP 600V 30A TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT30DQ60KG

APT30DQ60KG

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 30A TO220

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT30DQ60BG

APT30DQ60BG

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT30GP60B2DLG

APT30GP60B2DLG

Apraksts: IGBT 600V 100A 463W TMAX

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT30DS60BG

APT30DS60BG

Apraksts: DIODE ARRAY GP 600V 20A TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT30F60J

APT30F60J

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 31A SOT-227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT30DQ120BCTG

APT30DQ120BCTG

Apraksts: DIODE ARRAY GP 1200V 30A TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT30DS20HJ

APT30DS20HJ

Apraksts: DIODE MODULE 200V SOT227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT30GN60BDQ2G

APT30GN60BDQ2G

Apraksts: IGBT 600V 63A 203W TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT30DQ100KG

APT30DQ100KG

Apraksts: DIODE GEN PURP 1KV 30A TO220

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT30GP60JDQ1

APT30GP60JDQ1

Apraksts: IGBT 600V 67A 245W SOT227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT30DQ120KG

APT30DQ120KG

Apraksts: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO220

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT30GP60BG

APT30GP60BG

Apraksts: IGBT 600V 100A 463W TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.