Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > APT25M100J
Pieprasīt citātu
Latviešu
3317765APT25M100J attēlsMicrosemi

APT25M100J

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$32.74
10+
$30.286
30+
$27.831
100+
$25.866
250+
$23.738
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    APT25M100J
  • Ražotājs / zīmols
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
  • ECAD modelis
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 2.5mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    ISOTOP®
  • Sērija
    POWER MOS 8™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    330 mOhm @ 18A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    545W (Tc)
  • Iepakojums
    Tube
  • Iepakojums / lieta
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Chassis Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    17 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    9835pF @ 25V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    305nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    1000V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 1000V 25A (Tc) 545W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    25A (Tc)
APT25GR120SD15

APT25GR120SD15

Apraksts: IGBT 1200V 75A 521W D3PAK

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT25GT120BRDQ2G

APT25GT120BRDQ2G

Apraksts: IGBT 1200V 54A 347W TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT26F120L

APT26F120L

Apraksts: MOSFET N-CH 1200V 27A TO-264

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT25GR120BD15

APT25GR120BD15

Apraksts: IGBT 1200V 75A 521W TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT25SM120B

APT25SM120B

Apraksts: POWER MOSFET - SIC

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT25GT120BRG

APT25GT120BRG

Apraksts: IGBT 1200V 54A 347W TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT26M100JCU3

APT26M100JCU3

Apraksts: MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT25GP90BDQ1G

APT25GP90BDQ1G

Apraksts: IGBT 900V 72A 417W TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT25GR120BSCD10

APT25GR120BSCD10

Apraksts: IGBT 1200V 75A 521W TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT25GR120B

APT25GR120B

Apraksts: IGBT 1200V 75A 521W TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT27GA90BD15

APT27GA90BD15

Apraksts: IGBT 900V 48A 223W TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT25SM120S

APT25SM120S

Apraksts: POWER MOSFET - SIC

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT26M100JCU2

APT26M100JCU2

Apraksts: MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT25GP90BG

APT25GP90BG

Apraksts: IGBT 900V 72A 417W TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT27HZTR-G1

APT27HZTR-G1

Apraksts: TRANS NPN 450V 0.8A TO92

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
APT26F120B2

APT26F120B2

Apraksts: MOSFET N-CH 1200V 27A T-MAX

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT25GR120S

APT25GR120S

Apraksts: IGBT 1200V 75A 521W D3PAK

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT27ZTR-G1

APT27ZTR-G1

Apraksts: TRANS NPN 450V 0.8A TO92

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
APT28F60B

APT28F60B

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 28A TO-247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT25GR120SSCD10

APT25GR120SSCD10

Apraksts: IGBT 1200V 75A 521W D3PAK

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā

Review (1)

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu