Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - IGBTs - vieni > APT25GT120BRG
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
3586511APT25GT120BRG attēlsMicrosemi

APT25GT120BRG

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$7.85
10+
$7.061
30+
$6.433
120+
$5.805
270+
$5.335
510+
$4.864
1020+
$4.236
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    APT25GT120BRG
  • Ražotājs / zīmols
    Microsemi
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    IGBT 1200V 54A 347W TO247
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    1.APT25GT120BRG.pdf
    2.APT25GT120BRG.pdf
  • Spriegums - savācēja emisijas sadalījums (maksimālais)
    1200V
  • Vce (par) (maksimālais) @ Vge, Ic
    3.7V @ 15V, 25A
  • Testa stāvoklis
    800V, 25A, 5 Ohm, 15V
  • Td (ieslēgts / izslēgts) @ 25 ° C
    14ns/150ns
  • Pārslēgšanas enerģija
    930µJ (on), 720µJ (off)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    TO-247 [B]
  • Sērija
    Thunderbolt IGBT®
  • Jauda - maks
    347W
  • Iepakojums
    Tube
  • Iepakojums / lieta
    TO-247-3
  • Citi vārdi
    APT25GT120BRGMI
    APT25GT120BRGMI-ND
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    18 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades veids
    Standard
  • IGBT tips
    NPT
  • Vārtu iekasēšana
    170nC
  • Detalizēts apraksts
    IGBT NPT 1200V 54A 347W Through Hole TO-247 [B]
  • Pašreizējais - impulsu savācējs (Icm)
    75A
  • Pašreizējais - savācējs (Ic) (maksimālais)
    54A

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “APT25GT120BRG” saistītie produkti.
APT26M100JCU3

APT26M100JCU3

Apraksts: MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT27HZTR-G1

APT27HZTR-G1

Apraksts: TRANS NPN 450V 0.8A TO92

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
APT27GA90BD15

APT27GA90BD15

Apraksts: IGBT 900V 48A 223W TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT27ZTR-G1

APT27ZTR-G1

Apraksts: TRANS NPN 450V 0.8A TO92

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
APT25GR120BSCD10

APT25GR120BSCD10

Apraksts: IGBT 1200V 75A 521W TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT25GR120B

APT25GR120B

Apraksts: IGBT 1200V 75A 521W TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT25GR120SSCD10

APT25GR120SSCD10

Apraksts: IGBT 1200V 75A 521W D3PAK

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT25M100J

APT25M100J

Apraksts: MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT25GP90BG

APT25GP90BG

Apraksts: IGBT 900V 72A 417W TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT25GR120SD15

APT25GR120SD15

Apraksts: IGBT 1200V 75A 521W D3PAK

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT26M100JCU2

APT26M100JCU2

Apraksts: MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT25GP90BDQ1G

APT25GP90BDQ1G

Apraksts: IGBT 900V 72A 417W TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT25GR120BD15

APT25GR120BD15

Apraksts: IGBT 1200V 75A 521W TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT26F120B2

APT26F120B2

Apraksts: MOSFET N-CH 1200V 27A T-MAX

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT25SM120S

APT25SM120S

Apraksts: POWER MOSFET - SIC

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT26F120L

APT26F120L

Apraksts: MOSFET N-CH 1200V 27A TO-264

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT25GT120BRDQ2G

APT25GT120BRDQ2G

Apraksts: IGBT 1200V 54A 347W TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT25GR120S

APT25GR120S

Apraksts: IGBT 1200V 75A 521W D3PAK

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT25SM120B

APT25SM120B

Apraksts: POWER MOSFET - SIC

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT25GP120BG

APT25GP120BG

Apraksts: IGBT 1200V 69A 417W TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.