Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - IGBTs - moduļi > APT200GN60JDQ4G
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
4972872APT200GN60JDQ4G attēlsMicrosemi

APT200GN60JDQ4G

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    APT200GN60JDQ4G
  • Ražotājs / zīmols
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    IGBT 600V 283A 682W SOT227
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
  • Spriegums - savācēja emisijas sadalījums (maksimālais)
    600V
  • Vce (par) (maksimālais) @ Vge, Ic
    1.85V @ 15V, 200A
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    ISOTOP®
  • Sērija
    -
  • Jauda - maks
    682W
  • Iepakojums / lieta
    ISOTOP
  • Citi vārdi
    APT200GN60JDQ4G-ND
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • NTC termistors
    No
  • Montāžas tips
    Chassis Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Cies) @ Vce
    14.1nF @ 25V
  • Ievade
    Standard
  • IGBT tips
    Trench Field Stop
  • Detalizēts apraksts
    IGBT Module Trench Field Stop Single 600V 283A 682W Chassis Mount ISOTOP®
  • Current - Collector Cutoff (Maks.)
    50µA
  • Pašreizējais - savācējs (Ic) (maksimālais)
    283A
  • Konfigurācija
    Single
APT19F100J

APT19F100J

Apraksts: MOSFET N-CH 1000V 20A SOT-227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT2012LZGCK

APT2012LZGCK

Apraksts: LED GREEN CLEAR 2SMD

Ražotāji: Kingbright
Noliktavā
APT18M80B

APT18M80B

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 19A TO-247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT18M80S

APT18M80S

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 19A D3PAK

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT200GN60B2G

APT200GN60B2G

Apraksts: IGBT 600V 283A 682W TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT2012CGCK

APT2012CGCK

Apraksts: LED GREEN CLEAR CHIP SMD

Ražotāji: Kingbright
Noliktavā
APT200GN60JDQ4

APT200GN60JDQ4

Apraksts: IGBT 600V 283A 682W SOT227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT200GN60JG

APT200GN60JG

Apraksts: IGBT 600V 283A 682W SOT227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT18M100B

APT18M100B

Apraksts: MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT2012LSECK/J3-PRV

APT2012LSECK/J3-PRV

Apraksts: LED RED CLEAR 2SMD

Ražotāji: Kingbright
Noliktavā
APT2012LVBC/D

APT2012LVBC/D

Apraksts: LED BLUE CLEAR 2SMD

Ražotāji: Kingbright
Noliktavā
APT19M120J

APT19M120J

Apraksts: MOSFET N-CH 1200V 19A SOT-227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT200GT60JR

APT200GT60JR

Apraksts: IGBT 600V 195A ISOTOP

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT2012EC

APT2012EC

Apraksts: LED RED CLEAR CHIP SMD

Ražotāji: Kingbright
Noliktavā
APT2012LSECK/J4-PRV

APT2012LSECK/J4-PRV

Apraksts: LED ORANGE CLEAR 2SMD

Ražotāji: Kingbright
Noliktavā
APT200GN60J

APT200GN60J

Apraksts: IGBT 600V 283A 682W SOT227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT2012LSYCK/J3-PRV

APT2012LSYCK/J3-PRV

Apraksts: LED YELLOW CLEAR 2SMD

Ražotāji: Kingbright
Noliktavā
APT2012F3C

APT2012F3C

Apraksts: EMITTER IR 940NM 50MA 0805

Ražotāji: Kingbright
Noliktavā
APT18F60S

APT18F60S

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 19A D3PAK

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT18F60B

APT18F60B

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 18A TO-247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu