Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > APT19M120J
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
865442APT19M120J attēlsMicrosemi

APT19M120J

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$35.66
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    APT19M120J
  • Ražotājs / zīmols
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 1200V 19A SOT-227
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 2.5mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    ISOTOP®
  • Sērija
    POWER MOS 8™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    530 mOhm @ 14A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    545W (Tc)
  • Iepakojums
    Tube
  • Iepakojums / lieta
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Chassis Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    9670pF @ 25V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    300nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    1200V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 1200V 19A (Tc) 545W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    19A (Tc)
APT200GT60JR

APT200GT60JR

Apraksts: IGBT 600V 195A ISOTOP

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT18M100B

APT18M100B

Apraksts: MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT200GN60JG

APT200GN60JG

Apraksts: IGBT 600V 283A 682W SOT227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT17NTR-G1

APT17NTR-G1

Apraksts: TRANS NPN 480V SOT23

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
APT200GN60B2G

APT200GN60B2G

Apraksts: IGBT 600V 283A 682W TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT18M80B

APT18M80B

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 19A TO-247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT17F80S

APT17F80S

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 18A D3PAK

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT2012F3C

APT2012F3C

Apraksts: EMITTER IR 940NM 50MA 0805

Ražotāji: Kingbright
Noliktavā
APT18M80S

APT18M80S

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 19A D3PAK

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT19F100J

APT19F100J

Apraksts: MOSFET N-CH 1000V 20A SOT-227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT200GN60JDQ4G

APT200GN60JDQ4G

Apraksts: IGBT 600V 283A 682W SOT227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT2012CGCK

APT2012CGCK

Apraksts: LED GREEN CLEAR CHIP SMD

Ražotāji: Kingbright
Noliktavā
APT18F60B

APT18F60B

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 18A TO-247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT200GN60J

APT200GN60J

Apraksts: IGBT 600V 283A 682W SOT227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT17N80SC3G

APT17N80SC3G

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 17A D3PAK

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT2012LSECK/J3-PRV

APT2012LSECK/J3-PRV

Apraksts: LED RED CLEAR 2SMD

Ražotāji: Kingbright
Noliktavā
APT18F60S

APT18F60S

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 19A D3PAK

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT17N80BC3G

APT17N80BC3G

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 17A TO-247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT200GN60JDQ4

APT200GN60JDQ4

Apraksts: IGBT 600V 283A 682W SOT227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT2012EC

APT2012EC

Apraksts: LED RED CLEAR CHIP SMD

Ražotāji: Kingbright
Noliktavā

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu