Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Diodes - taisngrieži - vieni > 1N5806US
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
22231371N5806US attēlsMicrosemi

1N5806US

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$9.58
10+
$8.623
100+
$7.09
500+
$5.94
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    1N5806US
  • Ražotājs / zīmols
    Microsemi
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    DIODE GEN PURP 150V 1A D5A
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Satur svina / RoHS neatbilstību
  • Datu lapas
    1N5806US.pdf
  • Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja
    875mV @ 1A
  • Spriegums - DC reversais (Vr) (maksimālais)
    150V
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    D-5A
  • Ātrums
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Sērija
    -
  • Reverss atkopšanas laiks (trr)
    25ns
  • Iepakojums
    Bulk
  • Iepakojums / lieta
    SQ-MELF, A
  • Darba temperatūra - savienojums
    -65°C ~ 175°C
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    7 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diode tips
    Standard
  • Detalizēts apraksts
    Diode Standard 150V 1A Surface Mount D-5A
  • Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr
    1µA @ 150V
  • Pašreizējais - vidējais labojums (Io)
    1A
  • Ietilpība @ Vr, F
    25pF @ 10V, 1MHz

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

2024/11/23

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

2024/11/22

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “1N5806US” saistītie produkti.
1N5806C.TR

1N5806C.TR

Apraksts: DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL

Ražotāji: Semtech
Noliktavā
RFQ
1N5806US

1N5806US

Apraksts: DIODE GEN PURP 150V 1.1A

Ražotāji: Semtech
Noliktavā
RFQ
1N5809

1N5809

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
1N5807

1N5807

Apraksts: DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
1N5807

1N5807

Apraksts: DIODE GEN PURP 50V 6A AXIAL

Ražotāji: Semtech
Noliktavā
RFQ
1N5809

1N5809

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 6A AXIAL

Ražotāji: Semtech
Noliktavā
RFQ
1N5805

1N5805

Apraksts: DIODE GEN PURP 125V 1A AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
1N5809US

1N5809US

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
1N5809US

1N5809US

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 6A

Ražotāji: Semtech
Noliktavā
RFQ
1N5802US

1N5802US

Apraksts: DIODE GEN PURP 50V 1.1A

Ražotāji: Semtech
Noliktavā
RFQ
1N5807US

1N5807US

Apraksts: DIODE GEN PURP 50V 3A B-MELF

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
1N5806TR

1N5806TR

Apraksts: DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
1N5803

1N5803

Apraksts: DIODE GEN PURP 75V 1A AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
1N5802US

1N5802US

Apraksts: DIODE GEN PURP 50V 1A D5A

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
1N5804US

1N5804US

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 1.1A

Ražotāji: Semtech
Noliktavā
RFQ
1N5804US

1N5804US

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 1A D5A

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
1N5804

1N5804

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 3.3A AXIAL

Ražotāji: Semtech
Noliktavā
RFQ
1N5807US

1N5807US

Apraksts: DIODE GEN PURP 50V 6A

Ražotāji: Semtech
Noliktavā
RFQ
1N5804

1N5804

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
1N5808

1N5808

Apraksts: DIODE RECT ULT FAST REC B-PKG

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.