1N5804US

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā

$11.71

10+

$10.647

100+

$9.05

500+

$7.719

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

1N5804US
Ražotājs / zīmols

Microsemi
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

DIODE GEN PURP 100V 1A D5A
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Satur svina / RoHS neatbilstību
Datu lapas

1N5804US.pdf
Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja

875mV @ 1A
Spriegums - DC reversais (Vr) (maksimālais)

100V
Piegādātāja ierīču komplekts

D-5A
Ātrums

Fast Recovery = 200mA (Io)
Sērija

-
Reverss atkopšanas laiks (trr)

25ns
Iepakojums

Bulk
Iepakojums / lieta

SQ-MELF, A
Darba temperatūra - savienojums

-65°C ~ 175°C
Montāžas tips

Surface Mount
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Ražotāja standarta svina laiks

7 Weeks
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Contains lead / RoHS non-compliant
Diode tips

Standard
Detalizēts apraksts

Diode Standard 100V 1A Surface Mount D-5A
Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr

1µA @ 100V
Pašreizējais - vidējais labojums (Io)

1A
Ietilpība @ Vr, F

25pF @ 10V, 1MHz

Šis ir ar “1N5804US” saistītie produkti.

1N5802US

Apraksts: DIODE GEN PURP 50V 1A D5A

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

RFQ

1N5805

Apraksts: DIODE GEN PURP 125V 1A AXIAL

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

RFQ

1N5807

Apraksts: DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

RFQ

1N5808

Apraksts: DIODE RECT ULT FAST REC B-PKG

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

RFQ

1N5803

Apraksts: DIODE GEN PURP 75V 1A AXIAL

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

RFQ

1N5806TR

Apraksts: DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

RFQ

1N5806US

Apraksts: DIODE GEN PURP 150V 1A D5A

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

RFQ

1N5807US

Apraksts: DIODE GEN PURP 50V 3A B-MELF

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

RFQ