Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > RZM001P02T2L
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
1535698RZM001P02T2L attēlsLAPIS Semiconductor

RZM001P02T2L

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
8000+
$0.037
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    RZM001P02T2L
  • Ražotājs / zīmols
    LAPIS Technology
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET P-CH 20V 0.1A VMT3
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    1.RZM001P02T2L.pdf
    2.RZM001P02T2L.pdf
  • ECAD modelis
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 100µA
  • Vgs (Max)
    ±10V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    VMT3
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.8 Ohm @ 100mA, 4.5V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    150mW (Ta)
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    SOT-723
  • Citi vārdi
    RZM001P02T2LTR
  • Darbības temperatūra
    150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    10 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    15pF @ 10V
  • FET tips
    P-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    1.2V, 4.5V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    20V
  • Detalizēts apraksts
    P-Channel 20V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VMT3
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    100mA (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “RZM001P02T2L” saistītie produkti.
IXFN240N15T2

IXFN240N15T2

Apraksts: MOSFET N-CH 150V 240A SOT227

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
STW42N65M5

STW42N65M5

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 33A TO-247

Ražotāji: STMicroelectronics
Noliktavā
RFQ
CSD16404Q5A

CSD16404Q5A

Apraksts: MOSFET N-CH 25V 81A 8-SON

Ražotāji: Luminary Micro / Texas Instruments
Noliktavā
RFQ
STF10NM60ND

STF10NM60ND

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FP

Ražotāji: STMicroelectronics
Noliktavā
RFQ
SI4154DY-T1-GE3

SI4154DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 36A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
DMN10H170SK3-13

DMN10H170SK3-13

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 12A TO252

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
STP6N65M2

STP6N65M2

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 4A TO-220AB

Ražotāji: STMicroelectronics
Noliktavā
RFQ
RZM002P02T2L

RZM002P02T2L

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 0.2A VMT3

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
IPP65R310CFDAAKSA1

IPP65R310CFDAAKSA1

Apraksts: MOSFET N-CH 650V TO-220-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB017N10N5LFATMA1

IPB017N10N5LFATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 100V D2PAK-7

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IRF3707STRL

IRF3707STRL

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IXTN102N65X2

IXTN102N65X2

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 76A X2 SOT-227

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
STW60NM50N

STW60NM50N

Apraksts: MOSFET N CH 500V 68A TO-247

Ražotāji: STMicroelectronics
Noliktavā
RFQ
SFP9630

SFP9630

Apraksts: MOSFET P-CH 200V 6.5A TO-220

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
AUIRFR4105ZTRL

AUIRFR4105ZTRL

Apraksts: MOSFET N-CH 55V 30A DPAK

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
FDS86540

FDS86540

Apraksts: MOSFET N CH 60V 18A 8-SO

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
2SK3813-Z-E1-AZ

2SK3813-Z-E1-AZ

Apraksts: TRANSISTOR

Ražotāji: Renesas Electronics America
Noliktavā
RFQ
FDMS8023S

FDMS8023S

Apraksts: MOSFET N-CH 30V POWER56

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDMS86550

FDMS86550

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 8MLP

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
AON6405L_102

AON6405L_102

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 8DFN

Ražotāji: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsJaunumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.