Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > DMN10H170SK3-13
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
1354219DMN10H170SK3-13 attēlsDiodes Incorporated

DMN10H170SK3-13

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
2500+
$0.25
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    DMN10H170SK3-13
  • Ražotājs / zīmols
    Diodes Incorporated
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 100V 12A TO252
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    DMN10H170SK3-13.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    TO-252-3
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    140 mOhm @ 5A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    42W (Tc)
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Citi vārdi
    DMN10H170SK3-13DITR
    DMN10H170SK313
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    24 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    1167pF @ 25V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    9.7nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    4.5V, 10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    100V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 100V 12A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount TO-252-3
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    12A (Tc)

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “DMN10H170SK3-13” saistītie produkti.
DMN10H220LQ-13

DMN10H220LQ-13

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN10H170SFG-7

DMN10H170SFG-7

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN10H220L-7

DMN10H220L-7

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT-23

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN10H170SFDE-13

DMN10H170SFDE-13

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN10H120SE-13

DMN10H120SE-13

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 3.6A SOT223

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN10H220L-13

DMN10H220L-13

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN10H120SFG-7

DMN10H120SFG-7

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN10H170SVTQ-13

DMN10H170SVTQ-13

Apraksts: MOSFET N-CH 100V TSOT26

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN10H170SK3Q-13

DMN10H170SK3Q-13

Apraksts: MOSFET N-CHAN 61V 100V TO252

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN10H170SVTQ-7

DMN10H170SVTQ-7

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN10H099SK3-13

DMN10H099SK3-13

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 17A TO252

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN10H220LQ-7

DMN10H220LQ-7

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN10H220LE-13

DMN10H220LE-13

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN10H170SVT-13

DMN10H170SVT-13

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN10H099SFG-7

DMN10H099SFG-7

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN10H120SFG-13

DMN10H120SFG-13

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN10H100SK3-13

DMN10H100SK3-13

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 18A TO252

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN10H170SFDE-7

DMN10H170SFDE-7

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN10H170SVT-7

DMN10H170SVT-7

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN10H170SFG-13

DMN10H170SFG-13

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.