Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > RZF013P01TL
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
3805605RZF013P01TL attēlsLAPIS Semiconductor

RZF013P01TL

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$0.50
10+
$0.349
100+
$0.229
500+
$0.136
1000+
$0.104
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    RZF013P01TL
  • Ražotājs / zīmols
    LAPIS Technology
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET P-CH 12V 1.3A TUMT3
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    1.RZF013P01TL.pdf
    2.RZF013P01TL.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±10V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    TUMT3
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    260 mOhm @ 1.3A, 4.5V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    800mW (Ta)
  • Iepakojums
    Original-Reel®
  • Iepakojums / lieta
    3-SMD, Flat Leads
  • Citi vārdi
    RZF013P01TLDKR
  • Darbības temperatūra
    150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    10 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    290pF @ 6V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    2.4nC @ 4.5V
  • FET tips
    P-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    1.5V, 4.5V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    12V
  • Detalizēts apraksts
    P-Channel 12V 1.3A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount TUMT3
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    1.3A (Ta)

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

2024/11/23

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

2024/11/22

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “RZF013P01TL” saistītie produkti.
2N7639-GA

2N7639-GA

Apraksts: TRANS SJT 650V 15A TO-257

Ražotāji: GeneSiC Semiconductor
Noliktavā
RFQ
APT70SM70J

APT70SM70J

Apraksts: POWER MOSFET - SIC

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
RJK0854DPB-00#J5

RJK0854DPB-00#J5

Apraksts: MOSFET N-CH 80V LFPAK

Ražotāji: Renesas Electronics America
Noliktavā
RFQ
RZF020P01TL

RZF020P01TL

Apraksts: MOSFET P-CH 12V 2A TUMT3

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
STP60NF03L

STP60NF03L

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 60A TO-220

Ražotāji: STMicroelectronics
Noliktavā
RFQ
GP2M004A060PG

GP2M004A060PG

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 4A IPAK

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
SIS606BDN-T1-GE3

SIS606BDN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK 1212

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
STF40NF20

STF40NF20

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 40A TO-220FP

Ražotāji: STMicroelectronics
Noliktavā
RFQ
IPL60R365P7AUMA1

IPL60R365P7AUMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 10A VSON-4

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IXFP7N80PM

IXFP7N80PM

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 3.5A TO-220

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
AOTF3N100

AOTF3N100

Apraksts: MOSFET N-CH 1000V 2.8A TO220F

Ražotāji: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Noliktavā
RFQ
IXTN210P10T

IXTN210P10T

Apraksts: MOSFET P-CH 100V 210A SOT-227

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
NP88N055KUG-E1-AY

NP88N055KUG-E1-AY

Apraksts: MOSFET N-CH 55V 88A TO-263

Ražotāji: Renesas Electronics America
Noliktavā
RFQ
NTLJD3182FZTAG

NTLJD3182FZTAG

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-WDFN

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDFS2P753Z

FDFS2P753Z

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 3A 8-SOIC

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RZF030P01TL

RZF030P01TL

Apraksts: MOSFET P-CH 12V 3A TUMT3

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
HTNFET-D

HTNFET-D

Apraksts: MOSFET N-CH 55V 8-DIP

Ražotāji: Honeywell Microelectronics & Precision Sensors
Noliktavā
RFQ
SI7462DP-T1-GE3

SI7462DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4890DY-T1-GE3

SI4890DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
DMPH3010LK3-13

DMPH3010LK3-13

Apraksts: MOSFET P-CHANNEL 30V 50A TO252

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.