Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > SI7462DP-T1-GE3
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
606539SI7462DP-T1-GE3 attēlsElectro-Films (EFI) / Vishay

SI7462DP-T1-GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    SI7462DP-T1-GE3
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SO-8
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    SI7462DP-T1-GE3.pdf
  • ECAD modelis
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    PowerPAK® SO-8
  • Sērija
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    130 mOhm @ 4.1A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    1.9W (Ta)
  • Iepakojums
    Cut Tape (CT)
  • Iepakojums / lieta
    PowerPAK® SO-8
  • Citi vārdi
    SI7462DP-T1-GE3CT
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    30nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    6V, 10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    200V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 200V 2.6A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    2.6A (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “SI7462DP-T1-GE3” saistītie produkti.
SI7460DP-T1-E3

SI7460DP-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7462DP-T1-E3

SI7462DP-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7465DP-T1-E3

SI7465DP-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7464DP-T1-GE3

SI7464DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7461DP-T1-E3

SI7461DP-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7464DP-T1-E3

SI7464DP-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7460DP-T1-GE3

SI7460DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7459DP-T1-E3

SI7459DP-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 13A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7457DP-T1-E3

SI7457DP-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7469DP-T1-E3

SI7469DP-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7476DP-T1-E3

SI7476DP-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 15A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7465DP-T1-GE3

SI7465DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7463ADP-T1-GE3

SI7463ADP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 40V 46A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7459DP-T1-GE3

SI7459DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 13A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7469DP-T1-GE3

SI7469DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7456DP-T1-GE3

SI7456DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7457DP-T1-GE3

SI7457DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7463DP-T1-E3

SI7463DP-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 40V 11A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7463DP-T1-GE3

SI7463DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 40V 11A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7461DP-T1-GE3

SI7461DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsJaunumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.