Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

*Kompānijas nosaukums
*Nosaukt
*Tituls

*Epasta adrese
*Tālruņa numurs

*Valsts
*Kontakta logs
*Notikuma datums

*Ziņa

Apmeklētājiem elektronikā 2024

Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.

Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > RS1G120MNTB

RFQs/pasūtījums (0)

Latviešu

Latviešu

3749755

RS1G120MNTB attēls

LAPIS Semiconductor

RS1G120MNTB

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā

1+

$0.57

10+

$0.483

100+

$0.363

500+

$0.266

1000+

$0.205

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

RS1G120MNTB
Ražotājs / zīmols

LAPIS Technology
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

MOSFET N-CH 40V 12A 8HSOP
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

1.RS1G120MNTB.pdf
2.RS1G120MNTB.pdf
ECAD modelis
Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tehnoloģija

MOSFET (Metal Oxide)
Piegādātāja ierīču komplekts

8-HSOP
Sērija

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

16.2 mOhm @ 12A, 10V
Jaudas izkliedes (maksimums)

3W (Ta), 25W (Tc)
Iepakojums

Cut Tape (CT)
Iepakojums / lieta

8-PowerTDFN
Citi vārdi

RS1G120MNTBCT
Darbības temperatūra

150°C (TJ)
Montāžas tips

Surface Mount
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Ražotāja standarta svina laiks

40 Weeks
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Lead free / RoHS Compliant
Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds

570pF @ 20V
Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs

9.4nC @ 10V
FET tips

N-Channel
FET iezīme

-
Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)

4.5V, 10V
Drain to avota spriegumam (Vdss)

40V
Detalizēts apraksts

N-Channel 40V 12A (Ta) 3W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C

12A (Ta)

Saistītās ziņas
Piegāde
Maksājums

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

Pārvadāšana

Maksājums

Šis ir ar “RS1G120MNTB” saistītie produkti.

RS1GB-13

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 1A SMB

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

RS1GFS MXG

Apraksts: DIODE, FAST, 1A, 400V

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)

Noliktavā

RS1G-13

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 1A SMA

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

RS1G180MNTB

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 18A 8HSOP

Ražotāji: LAPIS Semiconductor

Noliktavā

RS1G260MNTB

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 26A 8HSOP

Ražotāji: LAPIS Semiconductor

Noliktavā

RS1G M2G

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)

Noliktavā

RS1G-E3/61T

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RS1G-13-F

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 1A SMA

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

RS1GFS MWG

Apraksts: DIODE

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)

Noliktavā

RS1GFA

Apraksts: DIODE GP 400V 800MA SOD123FA

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

RS1G300GNTB

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 30A 8HSOP

Ražotāji: LAPIS Semiconductor

Noliktavā

RS1G-E3/5AT

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RS1G-M3/5AT

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RS1GB-13-F

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 1A SMB

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

RS1GFSHMWG

Apraksts: DIODE

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)

Noliktavā

RS1G R3G

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)

Noliktavā

RS1G150MNTB

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 15A 8HSOP

Ražotāji: LAPIS Semiconductor

Noliktavā

RS1G

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 1A SMA

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

RS1G-M3/61T

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RS1G/1

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.

Seko mums

Noteikumi Pārkāpuma politika Pieprasiet cenu Par mums Sazinies ar mums Jaunums Vietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.