Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Diodes - taisngrieži - vieni > RS1G-E3/5AT
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
6085611RS1G-E3/5AT attēlsElectro-Films (EFI) / Vishay

RS1G-E3/5AT

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$0.43
10+
$0.319
100+
$0.181
500+
$0.12
1000+
$0.092
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    RS1G-E3/5AT
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    1.RS1G-E3/5AT.pdf
    2.RS1G-E3/5AT.pdf
  • Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja
    1.3V @ 1A
  • Spriegums - DC reversais (Vr) (maksimālais)
    400V
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    DO-214AC (SMA)
  • Ātrums
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Sērija
    -
  • Reverss atkopšanas laiks (trr)
    150ns
  • Iepakojums
    Original-Reel®
  • Iepakojums / lieta
    DO-214AC, SMA
  • Citi vārdi
    RS1G-E3/5ATGIDKR
  • Darba temperatūra - savienojums
    -55°C ~ 150°C
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tips
    Standard
  • Detalizēts apraksts
    Diode Standard 400V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr
    5µA @ 400V
  • Pašreizējais - vidējais labojums (Io)
    1A
  • Ietilpība @ Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

2024/11/26

NVIDIA RTX 5090 grafikas kartes GPU laukums ir 744 mm ², k...

2024/11/25

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

2024/11/23

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

2024/11/22

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “RS1G-E3/5AT” saistītie produkti.
RS1G-13

RS1G-13

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 1A SMA

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
RS1G R3G

RS1G R3G

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
RS1E300GNTB

RS1E300GNTB

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 30A 8-HSOP

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RS1E280BNTB

RS1E280BNTB

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RS1GB-13

RS1GB-13

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 1A SMB

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
RS1G260MNTB

RS1G260MNTB

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 26A 8HSOP

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RS1G-M3/5AT

RS1G-M3/5AT

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
RS1G150MNTB

RS1G150MNTB

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 15A 8HSOP

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RS1G-M3/61T

RS1G-M3/61T

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
RS1G-13-F

RS1G-13-F

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 1A SMA

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
RS1G300GNTB

RS1G300GNTB

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 30A 8HSOP

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RS1G180MNTB

RS1G180MNTB

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 18A 8HSOP

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RS1G M2G

RS1G M2G

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
RS1E350BNTB

RS1E350BNTB

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RS1E280GNTB

RS1E280GNTB

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 28A 8-HSOP

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RS1G120MNTB

RS1G120MNTB

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 12A 8HSOP

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RS1E320GNTB

RS1E320GNTB

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 32A 8-HSOP

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RS1G-E3/61T

RS1G-E3/61T

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
RS1G/1

RS1G/1

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
RS1G

RS1G

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 1A SMA

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.