Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - IGBTs - vieni > RGW80TS65DGC11
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
6832379RGW80TS65DGC11 attēlsLAPIS Semiconductor

RGW80TS65DGC11

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$5.70
10+
$5.093
25+
$4.583
100+
$4.176
250+
$3.768
500+
$3.381
1000+
$2.852
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    RGW80TS65DGC11
  • Ražotājs / zīmols
    LAPIS Technology
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    RGW80TS65DGC11.pdf
  • Spriegums - savācēja emisijas sadalījums (maksimālais)
    650V
  • Vce (par) (maksimālais) @ Vge, Ic
    1.9V @ 15V, 40A
  • Testa stāvoklis
    400V, 40A, 10 Ohm, 15V
  • Td (ieslēgts / izslēgts) @ 25 ° C
    44ns/143ns
  • Pārslēgšanas enerģija
    760µJ (on), 720µJ (off)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    TO-247N
  • Sērija
    -
  • Reverss atkopšanas laiks (trr)
    92ns
  • Jauda - maks
    214W
  • Iepakojums / lieta
    TO-247-3
  • Darbības temperatūra
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    15 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades veids
    Standard
  • IGBT tips
    Trench Field Stop
  • Vārtu iekasēšana
    110nC
  • Detalizēts apraksts
    IGBT Trench Field Stop 650V 78A 214W Through Hole TO-247N
  • Pašreizējais - impulsu savācējs (Icm)
    160A
  • Pašreizējais - savācējs (Ic) (maksimālais)
    78A

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “RGW80TS65DGC11” saistītie produkti.
RGW60TS65DGC11

RGW60TS65DGC11

Apraksts: 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
IXXH40N65B4D1

IXXH40N65B4D1

Apraksts: IGBT

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
RGW80TK65DGVC11

RGW80TK65DGVC11

Apraksts: 650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
IRG4RC20FTRLPBF

IRG4RC20FTRLPBF

Apraksts: IGBT 600V 22A 66W DPAK

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
RGW80TK65GVC11

RGW80TK65GVC11

Apraksts: 650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RGW60TS65GC11

RGW60TS65GC11

Apraksts: 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RGW-32-1Y

RGW-32-1Y

Apraksts: GROUNDING WASHER KIT 3/8 STUD

Ražotāji: Panduit
Noliktavā
RFQ
RJP5001APP-M0#T2

RJP5001APP-M0#T2

Apraksts: IGBT 500V TO-220FN

Ražotāji: Renesas Electronics America
Noliktavā
RFQ
RGW60TK65DGVC11

RGW60TK65DGVC11

Apraksts: 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RGW60TK65GVC11

RGW60TK65GVC11

Apraksts: 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RGW-100-1Y

RGW-100-1Y

Apraksts: GROUNDING WASHER KIT 3/8 STUD

Ražotāji: Panduit
Noliktavā
RFQ
RGW00TK65DGVC11

RGW00TK65DGVC11

Apraksts: 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RGW00TS65GC11

RGW00TS65GC11

Apraksts: 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RGW00TK65GVC11

RGW00TK65GVC11

Apraksts: 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RGW00TS65DGC11

RGW00TS65DGC11

Apraksts: 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RGW80TS65GC11

RGW80TS65GC11

Apraksts: 650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RGTV60TK65GVC11

RGTV60TK65GVC11

Apraksts: 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RGW-24-1Y

RGW-24-1Y

Apraksts: GROUNDING WASHER KIT 3/8 STUD

Ražotāji: Panduit
Noliktavā
RFQ
ISL9V3040D3S

ISL9V3040D3S

Apraksts: IGBT 430V 21A 150W TO252AA

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RGW-12-1Y

RGW-12-1Y

Apraksts: GROUNDING WASHER KIT 3/8 STUD

Ražotāji: Panduit
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.