Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - IGBTs - vieni > RGW60TS65DGC11
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
5511368RGW60TS65DGC11 attēlsLAPIS Semiconductor

RGW60TS65DGC11

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$5.29
10+
$4.725
25+
$4.252
100+
$3.875
250+
$3.497
500+
$3.137
1000+
$2.646
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    RGW60TS65DGC11
  • Ražotājs / zīmols
    LAPIS Technology
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    RGW60TS65DGC11.pdf
  • Spriegums - savācēja emisijas sadalījums (maksimālais)
    650V
  • Vce (par) (maksimālais) @ Vge, Ic
    1.9V @ 15V, 30A
  • Testa stāvoklis
    400V, 30A, 10 Ohm, 15V
  • Td (ieslēgts / izslēgts) @ 25 ° C
    37ns/114ns
  • Pārslēgšanas enerģija
    480µJ (on), 490µJ (off)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    TO-247N
  • Sērija
    -
  • Reverss atkopšanas laiks (trr)
    92ns
  • Jauda - maks
    178W
  • Iepakojums / lieta
    TO-247-3
  • Darbības temperatūra
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    15 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades veids
    Standard
  • IGBT tips
    Trench Field Stop
  • Vārtu iekasēšana
    84nC
  • Detalizēts apraksts
    IGBT Trench Field Stop 650V 60A 178W Through Hole TO-247N
  • Pašreizējais - impulsu savācējs (Icm)
    120A
  • Pašreizējais - savācējs (Ic) (maksimālais)
    60A

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

2024/11/26

NVIDIA RTX 5090 grafikas kartes GPU laukums ir 744 mm ², k...

2024/11/25

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

2024/11/23

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

2024/11/22
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “RGW60TS65DGC11” saistītie produkti.
RGW60TK65GVC11

RGW60TK65GVC11

Apraksts: 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RGW80TK65DGVC11

RGW80TK65DGVC11

Apraksts: 650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RGW00TK65DGVC11

RGW00TK65DGVC11

Apraksts: 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
IGC142T120T8RLX1SA2

IGC142T120T8RLX1SA2

Apraksts: IGBT 1200V 150A SAWN ON FOIL

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
RGW80TK65GVC11

RGW80TK65GVC11

Apraksts: 650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
IGC70T120T8RQ

IGC70T120T8RQ

Apraksts: IGBT 1200V 75A DIE

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
SGR15N40LTM

SGR15N40LTM

Apraksts: IGBT 400V 45W DPAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RGW00TS65GC11

RGW00TS65GC11

Apraksts: 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RGW-12-1Y

RGW-12-1Y

Apraksts: GROUNDING WASHER KIT 3/8 STUD

Ražotāji: Panduit
Noliktavā
RFQ
RJH1CV7DPQ-E0#T2

RJH1CV7DPQ-E0#T2

Apraksts: IGBT 1200V 70A 320W TO247

Ražotāji: Renesas Electronics America
Noliktavā
RFQ
STGFW30NC60V

STGFW30NC60V

Apraksts: IGBT 600V 36A 80W TO3PF

Ražotāji: STMicroelectronics
Noliktavā
RFQ
RGW00TK65GVC11

RGW00TK65GVC11

Apraksts: 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RGW60TK65DGVC11

RGW60TK65DGVC11

Apraksts: 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RGW80TS65DGC11

RGW80TS65DGC11

Apraksts: 650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RGW80TS65GC11

RGW80TS65GC11

Apraksts: 650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RGW-24-1Y

RGW-24-1Y

Apraksts: GROUNDING WASHER KIT 3/8 STUD

Ražotāji: Panduit
Noliktavā
RFQ
RGW60TS65GC11

RGW60TS65GC11

Apraksts: 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RGW-32-1Y

RGW-32-1Y

Apraksts: GROUNDING WASHER KIT 3/8 STUD

Ražotāji: Panduit
Noliktavā
RFQ
RGW-100-1Y

RGW-100-1Y

Apraksts: GROUNDING WASHER KIT 3/8 STUD

Ražotāji: Panduit
Noliktavā
RFQ
RGW00TS65DGC11

RGW00TS65DGC11

Apraksts: 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.