Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

*Kompānijas nosaukums
*Nosaukt
*Tituls

*Epasta adrese
*Tālruņa numurs

*Valsts
*Kontakta logs
*Notikuma datums

*Ziņa

Apmeklētājiem elektronikā 2024

Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.

Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Diodes - taisngrieži - vieni > RFN1LAM7STR

RFQs/pasūtījums (0)

Latviešu

Latviešu

3703234

RFN1LAM7STR attēls

LAPIS Semiconductor

RFN1LAM7STR

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā

1+

$0.50

10+

$0.349

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

RFN1LAM7STR
Ražotājs / zīmols

LAPIS Technology
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

DIODE GEN PURP 700V 800MA PMDTM
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

1.RFN1LAM7STR.pdf
2.RFN1LAM7STR.pdf
Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja

1.5V @ 800mA
Spriegums - DC reversais (Vr) (maksimālais)

700V
Piegādātāja ierīču komplekts

PMDTM
Ātrums

Fast Recovery = 200mA (Io)
Sērija

-
Reverss atkopšanas laiks (trr)

80ns
Iepakojums

Cut Tape (CT)
Iepakojums / lieta

SOD-128
Citi vārdi

RFN1LAM7SCT
Darba temperatūra - savienojums

150°C (Max)
Montāžas tips

Surface Mount
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Lead free / RoHS Compliant
Diode tips

Standard
Detalizēts apraksts

Diode Standard 700V 800mA Surface Mount PMDTM
Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr

1µA @ 700V
Pašreizējais - vidējais labojums (Io)

800mA
Ietilpība @ Vr, F

-

Saistītās ziņas
Piegāde
Maksājums

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

Pārvadāšana

Maksājums

Šis ir ar “RFN1LAM7STR” saistītie produkti.

RFN1L7STE25

Apraksts: DIODE GEN PURP 700V 800MA PMDS

Ražotāji: LAPIS Semiconductor

Noliktavā

RFN2L6STE25

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1.5A PMDS

Ražotāji: LAPIS Semiconductor

Noliktavā

RFN2L4STE25

Apraksts: DIODE SCHOTTKY 400V 1.5A PMDS

Ražotāji: LAPIS Semiconductor

Noliktavā

RFN10NS6SFHTL

Apraksts: FAST RECOVERY DIODES (CORRESPOND

Ražotāji: LAPIS Semiconductor

Noliktavā

RFN10NS6STL

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 10A LPDS

Ražotāji: LAPIS Semiconductor

Noliktavā

RFN10T2D

Apraksts: DIODE ARRAY GP 200V 5A TO220FN

Ražotāji: LAPIS Semiconductor

Noliktavā

RFN20TJ6SGC9

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220

Ražotāji: LAPIS Semiconductor

Noliktavā

RFN1LAM7STFTR

Apraksts: AUTOMOTIVE FAST RECOVERY DIODE (

Ražotāji: LAPIS Semiconductor

Noliktavā

RFN20NS3SFHTL

Apraksts: FAST RECOVERY DIODES (CORRESPOND

Ražotāji: LAPIS Semiconductor

Noliktavā

RFN20NS6STL

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 20A LPDS

Ražotāji: LAPIS Semiconductor

Noliktavā

RFN20NS4SFHTL

Apraksts: FAST RECOVERY DIODE (AEC-Q101 QU

Ražotāji: LAPIS Semiconductor

Noliktavā

RFN10TF6S

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 10A TO220NFM

Ražotāji: LAPIS Semiconductor

Noliktavā

RFN20NS6SFHTL

Apraksts: FAST RECOVERY DIODES (CORRESPOND

Ražotāji: LAPIS Semiconductor

Noliktavā

RFN2LAM4STR

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 1.5A PMDTM

Ražotāji: LAPIS Semiconductor

Noliktavā

RFN1L6STE25

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDS

Ražotāji: LAPIS Semiconductor

Noliktavā

RFN20TF6SFH

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220NFM

Ražotāji: LAPIS Semiconductor

Noliktavā

RFN10BM6SFHTL

Apraksts: SUPER FAST RECOVERY DIODE (AEC-Q

Ražotāji: LAPIS Semiconductor

Noliktavā

RFN1LAM6STR

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDTM

Ražotāji: LAPIS Semiconductor

Noliktavā

RFN20TF6S

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220NFM

Ražotāji: LAPIS Semiconductor

Noliktavā

RFN10BM3STL

Apraksts: DIODE GEN PURP 350V 10A TO252

Ražotāji: LAPIS Semiconductor

Noliktavā

Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.

Seko mums

Noteikumi Pārkāpuma politika Pieprasiet cenu Par mums Sazinies ar mums Vietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.