Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Diodes - Taisngrieži - masīvi > RFN10T2D
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
5927477RFN10T2D attēlsLAPIS Semiconductor

RFN10T2D

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$1.40
10+
$1.241
100+
$0.981
500+
$0.761
1000+
$0.60
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    RFN10T2D
  • Ražotājs / zīmols
    LAPIS Technology
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    DIODE ARRAY GP 200V 5A TO220FN
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    RFN10T2D.pdf
  • Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja
    980mV @ 5A
  • Spriegums - DC reversais (Vr) (maksimālais)
    200V
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    TO-220FN
  • Ātrums
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Sērija
    -
  • Reverss atkopšanas laiks (trr)
    25ns
  • Iepakojums
    Bulk
  • Iepakojums / lieta
    TO-220-3 Full Pack
  • Darba temperatūra - savienojums
    150°C (Max)
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tips
    Standard
  • Diode konfigurācija
    1 Pair Common Cathode
  • Detalizēts apraksts
    Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 200V 5A Through Hole TO-220-3 Full Pack
  • Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr
    10µA @ 200V
  • Pašreizējais - vidējais rektificēts (Io) (par diodi)
    5A

NVIDIA RTX 5090 grafikas kartes GPU laukums ir 744 mm ², k...

2024/11/25

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

2024/11/23

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

2024/11/22

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “RFN10T2D” saistītie produkti.
RFN10BM6SFHTL

RFN10BM6SFHTL

Apraksts: SUPER FAST RECOVERY DIODE (AEC-Q

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RFN2L4STE25

RFN2L4STE25

Apraksts: DIODE SCHOTTKY 400V 1.5A PMDS

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RFN10TF6S

RFN10TF6S

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 10A TO220NFM

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RFN20NS3SFHTL

RFN20NS3SFHTL

Apraksts: FAST RECOVERY DIODES (CORRESPOND

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RFN10NS6SFHTL

RFN10NS6SFHTL

Apraksts: FAST RECOVERY DIODES (CORRESPOND

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RFN10BM3STL

RFN10BM3STL

Apraksts: DIODE GEN PURP 350V 10A TO252

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RFN20NS6STL

RFN20NS6STL

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 20A LPDS

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RFN10NS6STL

RFN10NS6STL

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 10A LPDS

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RFN20NS6SFHTL

RFN20NS6SFHTL

Apraksts: FAST RECOVERY DIODES (CORRESPOND

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RFN1L7STE25

RFN1L7STE25

Apraksts: DIODE GEN PURP 700V 800MA PMDS

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RFN1LAM6STR

RFN1LAM6STR

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDTM

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RFN10B3STL

RFN10B3STL

Apraksts: DIODE GEN PURP 350V 10A CPD

Ražotāji: Rohm Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RFN1L6STE25

RFN1L6STE25

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDS

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RFN1LAM7STFTR

RFN1LAM7STFTR

Apraksts: AUTOMOTIVE FAST RECOVERY DIODE (

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RFN20TF6SFH

RFN20TF6SFH

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220NFM

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RFN20NS4SFHTL

RFN20NS4SFHTL

Apraksts: FAST RECOVERY DIODE (AEC-Q101 QU

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RFN1LAM7STR

RFN1LAM7STR

Apraksts: DIODE GEN PURP 700V 800MA PMDTM

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RFN10BM3SFHTL

RFN10BM3SFHTL

Apraksts: SUPER FAST RECOVERY DIODE (CORRE

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RFN20TF6S

RFN20TF6S

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220NFM

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RFN20TJ6SGC9

RFN20TJ6SGC9

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.