Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > BSF077N06NT3GXUMA1
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
56476BSF077N06NT3GXUMA1 attēlsInternational Rectifier (Infineon Technologies)

BSF077N06NT3GXUMA1

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    BSF077N06NT3GXUMA1
  • Ražotājs / zīmols
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 60V 13A WDSON-2
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    BSF077N06NT3GXUMA1.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 33µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    MG-WDSON-2, CanPAK M™
  • Sērija
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    7.7 mOhm @ 30A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    2.2W (Ta), 38W (Tc)
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    3-WDSON
  • Citi vārdi
    BSF077N06NT3 G
    BSF077N06NT3 G-ND
    BSF077N06NT3 GTR-ND
    BSF077N06NT3GXUMA1TR
    SP000605968
  • Darbības temperatūra
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    3700pF @ 30V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    46nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    60V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 60V 13A (Ta), 56A (Tc) 2.2W (Ta), 38W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    13A (Ta), 56A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “BSF077N06NT3GXUMA1” saistītie produkti.
BSF053N03LT G

BSF053N03LT G

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 71A 2WDSON

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
BSF450NE7NH3XUMA1

BSF450NE7NH3XUMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 75V 5A 2WDSON

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
NTTFS4C13NTWG

NTTFS4C13NTWG

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 38A U8FL

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
TK35S04K3L(T6L1,NQ

TK35S04K3L(T6L1,NQ

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 35A DPAK-3

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
BSF030NE2LQXUMA1

BSF030NE2LQXUMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 25V 24A WDSON-2

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
BSF024N03LT3GXUMA1

BSF024N03LT3GXUMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 106A 2WDSON

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
FQPF13N06

FQPF13N06

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 9.4A TO-220F

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
BSF134N10NJ3GXUMA1

BSF134N10NJ3GXUMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
BSF035NE2LQXUMA1

BSF035NE2LQXUMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 25V 22A 2WDSON

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
BSF083N03LQ G

BSF083N03LQ G

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 53A MG-WDSON-2

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
BSF

BSF

Apraksts: 9V FEMALE SNAP 6-SIDED

Ražotāji: MPD (Memory Protection Devices)
Noliktavā
RFQ
SI4190ADY-T1-GE3

SI4190ADY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SO

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
IRF720STRL

IRF720STRL

Apraksts: MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIR438DP-T1-GE3

SIR438DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BSF045N03MQ3 G

BSF045N03MQ3 G

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 63A WDSON-2

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
BSF-HD

BSF-HD

Apraksts: 9V FEMALE SNAP 4-SIDED HVY-DUTY

Ražotāji: MPD (Memory Protection Devices)
Noliktavā
RFQ
RFP50N05L

RFP50N05L

Apraksts: MOSFET N-CH 50V 50A TO-220AB

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
NTMFS4C08NT3G

NTMFS4C08NT3G

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 52A SO8FL

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
BSF050N03LQ3GXUMA1

BSF050N03LQ3GXUMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 60A 2WDSON

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
AOD456A

AOD456A

Apraksts: MOSFET N-CH 25V 50A TO-252

Ražotāji: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.