Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > SIR438DP-T1-GE3
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
2320329SIR438DP-T1-GE3 attēlsElectro-Films (EFI) / Vishay

SIR438DP-T1-GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
3000+
$0.978
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    SIR438DP-T1-GE3
  • Ražotājs / zīmols
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    PowerPAK® SO-8
  • Sērija
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.8 mOhm @ 20A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    5.4W (Ta), 83W (Tc)
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    PowerPAK® SO-8
  • Citi vārdi
    SIR438DP-T1-GE3-ND
    SIR438DP-T1-GE3TR
    SIR438DPT1GE3
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    27 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    4560pF @ 10V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    105nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    4.5V, 10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    25V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 25V 60A (Tc) 5.4W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    60A (Tc)
SIR412DP-T1-GE3

SIR412DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
SIR462DP-T1-GE3

SIR462DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
SIR432DP-T1-GE3

SIR432DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 28.4A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
SIR418DP-T1-GE3

SIR418DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
SIR460DP-T1-GE3

SIR460DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
SIR472ADP-T1-GE3

SIR472ADP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 18A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
SIR422DP-T1-GE3

SIR422DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
SIR414DP-T1-GE3

SIR414DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
SIR424DP-T1-GE3

SIR424DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
SIR410DP-T1-GE3

SIR410DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
SIR440DP-T1-GE3

SIR440DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
SIR472DP-T1-GE3

SIR472DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
SIR436DP-T1-GE3

SIR436DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
SIR416DP-T1-GE3

SIR416DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
SIR426DP-T1-GE3

SIR426DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
SIR474DP-T1-GE3

SIR474DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
SIR464DP-T1-GE3

SIR464DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
SIR466DP-T1-GE3

SIR466DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
SIR470DP-T1-GE3

SIR470DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
SIR468DP-T1-GE3

SIR468DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu