Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Diodes - taisngrieži - vieni > UGE0221AY4
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
4509451

UGE0221AY4

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
6+
$72.88
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    UGE0221AY4
  • Ražotājs / zīmols
    IXYS / Littelfuse
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    DIODE GEN PURP 4.8KV 10.2A UGE
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    UGE0221AY4.pdf
  • Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja
    4.8V @ 30A
  • Spriegums - DC reversais (Vr) (maksimālais)
    4800V
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    UGE
  • Ātrums
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Sērija
    -
  • Iepakojums
    Bulk
  • Iepakojums / lieta
    UGE
  • Montāžas tips
    Chassis Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    32 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tips
    Standard
  • Detalizēts apraksts
    Diode Standard 4800V 10.2A Chassis Mount UGE
  • Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr
    2mA @ 4800V
  • Pašreizējais - vidējais labojums (Io)
    10.2A
  • Ietilpība @ Vr, F
    -
  • Bāzes daļas numurs
    UGE

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

2024/11/26

NVIDIA RTX 5090 grafikas kartes GPU laukums ir 744 mm ², k...

2024/11/25

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

2024/11/23

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

2024/11/22

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “UGE0221AY4” saistītie produkti.
UGE1112AY4

UGE1112AY4

Apraksts: DIODE GEN PURP 8KV 4.2A UGE

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
UGE18DCT-E3/45

UGE18DCT-E3/45

Apraksts: DIODE 18A 150V 20NS TO-220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
DSEP30-12CR

DSEP30-12CR

Apraksts: DIODE GP 1.2KV 30A ISOPLUS247

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
UGE5HT-E3/45

UGE5HT-E3/45

Apraksts: DIODE GEN PURP 500V 5A TO220AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SK110-LP

SK110-LP

Apraksts: DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO214AA

Ražotāji: Micro Commercial Components (MCC)
Noliktavā
RFQ
UGE8JT-E3/45

UGE8JT-E3/45

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
MUR320S M6G

MUR320S M6G

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
UGE10CCT-E3/45

UGE10CCT-E3/45

Apraksts: DIODE 10A 150V 20NS TO-220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
ES3JB M4G

ES3JB M4G

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
BAV103

BAV103

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 200MA SOD80

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
UGE18CCT-E3/45

UGE18CCT-E3/45

Apraksts: DIODE 18A 150V 20NS TO-220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
1N5196UR

1N5196UR

Apraksts: DIODE GEN PURP 225V 200MA DO213

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
FR104G R0G

FR104G R0G

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
US1DHE3/5AT

US1DHE3/5AT

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
UGE3126AY4

UGE3126AY4

Apraksts: DIODE GEN PURP 24KV 2A UGE

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
UGE0421AY4

UGE0421AY4

Apraksts: DIODE GEN PURP 3.2KV 22.9A UGE

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
UGE8HT-E3/45

UGE8HT-E3/45

Apraksts: DIODE GEN PURP 500V 8A TO220AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
UGE10DCT-E3/45

UGE10DCT-E3/45

Apraksts: DIODE 10A 200V 20NS TO-220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
U2D-M3/52T

U2D-M3/52T

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
UGE5JT-E3/45

UGE5JT-E3/45

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 5A TO220AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.