Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Diodes - taisngrieži - vieni > UGE5JT-E3/45
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
2016847UGE5JT-E3/45 attēlsElectro-Films (EFI) / Vishay

UGE5JT-E3/45

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
4000+
$0.341
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    UGE5JT-E3/45
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    DIODE GEN PURP 600V 5A TO220AC
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    UGE5JT-E3/45.pdf
  • Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja
    1.75V @ 5A
  • Spriegums - DC reversais (Vr) (maksimālais)
    600V
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    TO-220AC
  • Ātrums
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Sērija
    -
  • Reverss atkopšanas laiks (trr)
    25ns
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    TO-220-2
  • Darba temperatūra - savienojums
    -55°C ~ 150°C
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tips
    Standard
  • Detalizēts apraksts
    Diode Standard 600V 5A Through Hole TO-220AC
  • Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr
    30µA @ 600V
  • Pašreizējais - vidējais labojums (Io)
    5A
  • Ietilpība @ Vr, F
    -

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

2024/11/26

NVIDIA RTX 5090 grafikas kartes GPU laukums ir 744 mm ², k...

2024/11/25

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

2024/11/23

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

2024/11/22

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “UGE5JT-E3/45” saistītie produkti.
UGE10DCT-E3/45

UGE10DCT-E3/45

Apraksts: DIODE 10A 200V 20NS TO-220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
DSA1-18D

DSA1-18D

Apraksts: DIODE AVALANCHE 1.8KV 2.3A

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
S4G M6G

S4G M6G

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 4A DO214AB

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
ES1ALHMHG

ES1ALHMHG

Apraksts: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
SE40PDHM3_A/I

SE40PDHM3_A/I

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 2.4A TO277A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
RHRG75120

RHRG75120

Apraksts: DIODE GEN PURP 1.2KV 75A TO247

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
UGE3126AY4

UGE3126AY4

Apraksts: DIODE GEN PURP 24KV 2A UGE

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
UGE18DCT-E3/45

UGE18DCT-E3/45

Apraksts: DIODE 18A 150V 20NS TO-220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
UGE8HT-E3/45

UGE8HT-E3/45

Apraksts: DIODE GEN PURP 500V 8A TO220AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
UGE0221AY4

UGE0221AY4

Apraksts: DIODE GEN PURP 4.8KV 10.2A UGE

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
FSV20100V

FSV20100V

Apraksts: DIODE SCHOTTKY 100V 20A TO277-3

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
UGE0421AY4

UGE0421AY4

Apraksts: DIODE GEN PURP 3.2KV 22.9A UGE

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
UGE5HT-E3/45

UGE5HT-E3/45

Apraksts: DIODE GEN PURP 500V 5A TO220AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
UGE1112AY4

UGE1112AY4

Apraksts: DIODE GEN PURP 8KV 4.2A UGE

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
SE10PB-E3/84A

SE10PB-E3/84A

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 1A DO220AA

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
1N6622

1N6622

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1.2A AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
UGE18CCT-E3/45

UGE18CCT-E3/45

Apraksts: DIODE 18A 150V 20NS TO-220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
V20PWM45-M3/I

V20PWM45-M3/I

Apraksts: DIODE SCHOTTKY 45V 20A SLIMDPAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
UGE8JT-E3/45

UGE8JT-E3/45

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
UGE10CCT-E3/45

UGE10CCT-E3/45

Apraksts: DIODE 10A 150V 20NS TO-220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.