Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > FDN359BN
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
5560950

FDN359BN

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    FDN359BN
  • Ražotājs / zīmols
    Fairchild (onsemi)
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 30V 2.7A 3SSOT
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    FDN359BN.pdf
  • ECAD modelis
  • Spriegums - pārbaude
    650pF @ 15V
  • Spriegums - sadalījums
    SuperSOT-3
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    46 mOhm @ 2.7A, 10V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Sērija
    PowerTrench®
  • RoHS statuss
    Cut Tape (CT)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.7A (Ta)
  • Polarizācija
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Citi vārdi
    FDN359BNFSCT
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja daļas numurs
    FDN359BN
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    7nC @ 5V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    3V @ 250µA
  • FET iezīme
    N-Channel
  • Paplašināts apraksts
    N-Channel 30V 2.7A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SuperSOT-3
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    -
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 30V 2.7A 3SSOT
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    30V
  • Kapacitātes koeficients
    500mW (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “FDN359BN” saistītie produkti.
FDN339AN_G

FDN339AN_G

Apraksts: MOSFET N-CH

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDN360P

FDN360P

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 2A SSOT3

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDN339AN

FDN339AN

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 3A SSOT3

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDN371N

FDN371N

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 2.5A SSOT-3

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDN338P_G

FDN338P_G

Apraksts: INTEGRATED CIRCUIT

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDN342P

FDN342P

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 2A SSOT-3

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDN352AP

FDN352AP

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 1.3A SSOT-3

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDN340P

FDN340P

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 2A SSOT3

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDN358P

FDN358P

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 1.5A SSOT3

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDN357N

FDN357N

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 1.9A SSOT3

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDN537N

FDN537N

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 6.5A SSOT-3

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDN5618P_G

FDN5618P_G

Apraksts: INTEGRATED CIRCUIT

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDN5618P

FDN5618P

Apraksts: MOSFET P-CH 60V 1.25A SSOT3

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDN359BN

FDN359BN

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT3

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDN338P

FDN338P

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 1.6A SSOT3

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDN372S

FDN372S

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 2.6A SSOT-3

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDN5630

FDN5630

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 1.7A SSOT3

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDN361AN

FDN361AN

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 1.8A SSOT-3

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDN361BN

FDN361BN

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 1.4A SSOT3

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDN359AN

FDN359AN

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT-3

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsJaunumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.