Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > FDN359AN
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
4288219

FDN359AN

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
3000+
$0.246
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    FDN359AN
  • Ražotājs / zīmols
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT-3
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    1.FDN359AN.pdf
    2.FDN359AN.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    SuperSOT-3
  • Sērija
    PowerTrench®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    46 mOhm @ 2.7A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    500mW (Ta)
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Citi vārdi
    FDN359AN_F095
    FDN359ANTR
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    42 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    480pF @ 10V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    7nC @ 5V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    4.5V, 10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    30V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 30V 2.7A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SuperSOT-3
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    2.7A (Ta)

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

2024/11/23

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

2024/11/22

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “FDN359AN” saistītie produkti.
FDN340P

FDN340P

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 2A SSOT3

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDN342P

FDN342P

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 2A SSOT-3

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDN361AN

FDN361AN

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 1.8A SSOT-3

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDN359BN

FDN359BN

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 2.7A 3SSOT

Ražotāji: Fairchild/ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDN352AP

FDN352AP

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 1.3A SSOT-3

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDN358P

FDN358P

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 1.5A SSOT3

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDN359BN

FDN359BN

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT3

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDN338P_G

FDN338P_G

Apraksts: INTEGRATED CIRCUIT

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDN5618P

FDN5618P

Apraksts: MOSFET P-CH 60V 1.25A SSOT3

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDN360P

FDN360P

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 2A SSOT3

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDN371N

FDN371N

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 2.5A SSOT-3

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDN339AN

FDN339AN

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 3A SSOT3

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDN339AN_G

FDN339AN_G

Apraksts: MOSFET N-CH

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDN338P

FDN338P

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 1.6A SSOT3

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDN5618P_G

FDN5618P_G

Apraksts: INTEGRATED CIRCUIT

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDN372S

FDN372S

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 2.6A SSOT-3

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDN537N

FDN537N

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 6.5A SSOT-3

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDN357N

FDN357N

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 1.9A SSOT3

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDN361BN

FDN361BN

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 1.4A SSOT3

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDN337N

FDN337N

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 2.2A SSOT3

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.