Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Diodes - taisngrieži - vieni > US1B-E3/61T
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
2617925US1B-E3/61T attēlsElectro-Films (EFI) / Vishay

US1B-E3/61T

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1800+
$0.137
3600+
$0.125
5400+
$0.118
12600+
$0.11
45000+
$0.101
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    US1B-E3/61T
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    1.US1B-E3/61T.pdf
    2.US1B-E3/61T.pdf
  • Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja
    1V @ 1A
  • Spriegums - DC reversais (Vr) (maksimālais)
    100V
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    DO-214AC (SMA)
  • Ātrums
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Sērija
    -
  • Reverss atkopšanas laiks (trr)
    50ns
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    DO-214AC, SMA
  • Citi vārdi
    US1B-E3/61T-ND
    US1B-E3/61TGITR
    US1BE361T
  • Darba temperatūra - savienojums
    -55°C ~ 150°C
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tips
    Standard
  • Detalizēts apraksts
    Diode Standard 100V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr
    10µA @ 100V
  • Pašreizējais - vidējais labojums (Io)
    1A
  • Ietilpība @ Vr, F
    15pF @ 4V, 1MHz
  • Bāzes daļas numurs
    US1B

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

2024/11/23

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

2024/11/22

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “US1B-E3/61T” saistītie produkti.
US1B-TP

US1B-TP

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Ražotāji: Micro Commercial Components (MCC)
Noliktavā
RFQ
US1BHE3_A/H

US1BHE3_A/H

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
US1BHE3/5AT

US1BHE3/5AT

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
US1BFA

US1BFA

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 1A SOD123FA

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
US1BHE3/61T

US1BHE3/61T

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
US1BHM2G

US1BHM2G

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
US1B M2G

US1B M2G

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
US1AHE3/61T

US1AHE3/61T

Apraksts: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
US1AHR3G

US1AHR3G

Apraksts: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
US1B-13

US1B-13

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 1A SMA

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
US1B R3G

US1B R3G

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
US1AHM2G

US1AHM2G

Apraksts: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
US1AHE3_A/H

US1AHE3_A/H

Apraksts: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
US1B/1

US1B/1

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
US1B-13-F

US1B-13-F

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 1A SMA

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
US1B-M3/5AT

US1B-M3/5AT

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
US1AHE3_A/I

US1AHE3_A/I

Apraksts: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
US1BHE3_A/I

US1BHE3_A/I

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
US1B-E3/5AT

US1B-E3/5AT

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
US1B-M3/61T

US1B-M3/61T

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.