Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Diodes - taisngrieži - vieni > US1B R3G
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
4889352US1B R3G attēlsTSC (Taiwan Semiconductor)

US1B R3G

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1800+
$0.092
3600+
$0.08
5400+
$0.072
12600+
$0.064
45000+
$0.06
90000+
$0.054
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    US1B R3G
  • Ražotājs / zīmols
    Taiwan Semiconductor
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    US1B R3G.pdf
  • ECAD modelis
  • Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja
    1V @ 1A
  • Spriegums - DC reversais (Vr) (maksimālais)
    100V
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    DO-214AC (SMA)
  • Ātrums
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Sērija
    -
  • Reverss atkopšanas laiks (trr)
    50ns
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    DO-214AC, SMA
  • Citi vārdi
    US1B R3GTR
    US1B R3GTR-ND
    US1BR3GTR
  • Darba temperatūra - savienojums
    -55°C ~ 150°C
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    8 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tips
    Standard
  • Detalizēts apraksts
    Diode Standard 100V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr
    5µA @ 100V
  • Pašreizējais - vidējais labojums (Io)
    1A
  • Ietilpība @ Vr, F
    15pF @ 4V, 1MHz

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “US1B R3G” saistītie produkti.
US1B-13

US1B-13

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 1A SMA

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
US1A-TP

US1A-TP

Apraksts: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC

Ražotāji: Micro Commercial Components (MCC)
Noliktavā
RFQ
US1BHE3/5AT

US1BHE3/5AT

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
US1AHE3/61T

US1AHE3/61T

Apraksts: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
US1B-TP

US1B-TP

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Ražotāji: Micro Commercial Components (MCC)
Noliktavā
RFQ
US1AHE3_A/I

US1AHE3_A/I

Apraksts: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
US1B-M3/5AT

US1B-M3/5AT

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
US1B M2G

US1B M2G

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
US1B-M3/61T

US1B-M3/61T

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
US1B/1

US1B/1

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
US1AHE3/5AT

US1AHE3/5AT

Apraksts: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
US1AHE3_A/H

US1AHE3_A/H

Apraksts: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
US1A-M3/61T

US1A-M3/61T

Apraksts: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
US1AFA

US1AFA

Apraksts: DIODE GEN PURP 50V 1A SOD123FA

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
US1B-E3/61T

US1B-E3/61T

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
US1B-13-F

US1B-13-F

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 1A SMA

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
US1AHR3G

US1AHR3G

Apraksts: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
US1AHM2G

US1AHM2G

Apraksts: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
US1BFA

US1BFA

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 1A SOD123FA

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
US1B-E3/5AT

US1B-E3/5AT

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsJaunumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.