Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - masīvi > SQJ956EP-T1_GE3
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
6162958SQJ956EP-T1_GE3 attēlsElectro-Films (EFI) / Vishay

SQJ956EP-T1_GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
3000+
$0.425
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    SQJ956EP-T1_GE3
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
  • Datu lapas
    SQJ956EP-T1_GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • Sērija
    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    26.7 mOhm @ 5.2A, 10V
  • Jauda - maks
    34W
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    1395pF @ 30V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    30nC @ 10V
  • FET tips
    2 N-Channel (Dual)
  • FET iezīme
    Standard
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    60V
  • Detalizēts apraksts
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 23A (Tc) 34W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    23A (Tc)

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “SQJ956EP-T1_GE3” saistītie produkti.
SQJ990EP-T1_GE3

SQJ990EP-T1_GE3

Apraksts: MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQJ942EP-T1_GE3

SQJ942EP-T1_GE3

Apraksts: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQJ951EP-T1_GE3

SQJ951EP-T1_GE3

Apraksts: MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQJ992EP-T1_GE3

SQJ992EP-T1_GE3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 60V 15A POWERPAKSO8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQJ963EP-T1_GE3

SQJ963EP-T1_GE3

Apraksts: MOSFET 2 P-CH 60V POWERPAK SO8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQJ962EP-T1-GE3

SQJ962EP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQJ912AEP-T1_GE3

SQJ912AEP-T1_GE3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQJ914EP-T1_GE3

SQJ914EP-T1_GE3

Apraksts: MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQJ980AEP-T1_GE3

SQJ980AEP-T1_GE3

Apraksts: MOSFET 2 N-CH 75V POWERPAK SO8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQJ912BEP-T1_GE3

SQJ912BEP-T1_GE3

Apraksts: MOSFET N-CH DUAL 40V PPSO-8L

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQJA00EP-T1_GE3

SQJA00EP-T1_GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 30A POWERPAKSO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQJ974EP-T1_GE3

SQJ974EP-T1_GE3

Apraksts: MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQJ946EP-T1_GE3

SQJ946EP-T1_GE3

Apraksts: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQJ968EP-T1_GE3

SQJ968EP-T1_GE3

Apraksts: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQJ940EP-T1_GE3

SQJ940EP-T1_GE3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 40V 15A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQJ941EP-T1-GE3

SQJ941EP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2P-CH 30V 8A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQJ952EP-T1_GE3

SQJ952EP-T1_GE3

Apraksts: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQJ960EP-T1_GE3

SQJ960EP-T1_GE3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 60V 8A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQJ910AEP-T1_GE3

SQJ910AEP-T1_GE3

Apraksts: MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQJ958EP-T1_GE3

SQJ958EP-T1_GE3

Apraksts: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.