Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - masīvi > SQJ910AEP-T1_GE3
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
3562329SQJ910AEP-T1_GE3 attēlsElectro-Films (EFI) / Vishay

SQJ910AEP-T1_GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
3000+
$0.541
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    SQJ910AEP-T1_GE3
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
  • Datu lapas
    SQJ910AEP-T1_GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • Sērija
    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    7 mOhm @ 12A, 10V
  • Jauda - maks
    48W
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    1869pF @ 15V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    39nC @ 10V
  • FET tips
    2 N-Channel (Dual)
  • FET iezīme
    Standard
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    30V
  • Detalizēts apraksts
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 30A (Tc) 48W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    30A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

2024/11/26
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “SQJ910AEP-T1_GE3” saistītie produkti.
SQJ850EP-T1_GE3

SQJ850EP-T1_GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 24A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQJ872EP-T1_GE3

SQJ872EP-T1_GE3

Apraksts: MOSFET N-CHAN 150V

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQJ858AEP-T1_GE3

SQJ858AEP-T1_GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 58A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQJ956EP-T1_GE3

SQJ956EP-T1_GE3

Apraksts: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQJ840EP-T1_GE3

SQJ840EP-T1_GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQJ940EP-T1_GE3

SQJ940EP-T1_GE3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 40V 15A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQJ848EP-T1_GE3

SQJ848EP-T1_GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 47A POWERPAKSO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQJ886EP-T1_GE3

SQJ886EP-T1_GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQJ868EP-T1_GE3

SQJ868EP-T1_GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 58A POWERPAKSOL

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQJ912AEP-T1_GE3

SQJ912AEP-T1_GE3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQJ942EP-T1_GE3

SQJ942EP-T1_GE3

Apraksts: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQJ946EP-T1_GE3

SQJ946EP-T1_GE3

Apraksts: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQJ952EP-T1_GE3

SQJ952EP-T1_GE3

Apraksts: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQJ951EP-T1_GE3

SQJ951EP-T1_GE3

Apraksts: MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQJ858EP-T1_GE3

SQJ858EP-T1_GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 75A POWERPAKSO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQJ860EP-T1_GE3

SQJ860EP-T1_GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQJ912BEP-T1_GE3

SQJ912BEP-T1_GE3

Apraksts: MOSFET N-CH DUAL 40V PPSO-8L

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQJ941EP-T1-GE3

SQJ941EP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2P-CH 30V 8A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQJ844AEP-T1_GE3

SQJ844AEP-T1_GE3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQJ914EP-T1_GE3

SQJ914EP-T1_GE3

Apraksts: MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.