SQ9407EY-T1_GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā

2500+

$0.499

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

SQ9407EY-T1_GE3
Ražotājs / zīmols

Electro-Films (EFI) / Vishay
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

MOSFET P-CHANNEL 60V 4.6A 8SO
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

SQ9407EY-T1_GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tehnoloģija

MOSFET (Metal Oxide)
Piegādātāja ierīču komplekts

8-SO
Sērija

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

85 mOhm @ 3.5A, 10V
Jaudas izkliedes (maksimums)

3.75W (Tc)
Iepakojums

Tape & Reel (TR)
Iepakojums / lieta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Citi vārdi

SQ9407EY-T1_GE3TR
Darbības temperatūra

-55°C ~ 175°C (TA)
Montāžas tips

Surface Mount
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Lead free / RoHS Compliant
Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds

1140pF @ 30V
Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs

40nC @ 10V
FET tips

P-Channel
FET iezīme

-
Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)

4.5V, 10V
Drain to avota spriegumam (Vdss)

60V
Detalizēts apraksts

P-Channel 60V 4.6A (Tc) 3.75W (Tc) Surface Mount 8-SO
Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C

4.6A (Tc)

Šis ir ar “SQ9407EY-T1_GE3” saistītie produkti.

SIRA00DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

AON6410

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 24A 8DFN

Ražotāji: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

Noliktavā

RFQ

5LN01SS-TL-H

Apraksts: MOSFET N-CH 50V 100MA SSFP

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

RFQ

SIA810DJ-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 4.5A SC-70-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

IRL3103PBF

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 64A TO-220AB

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)

Noliktavā

RFQ

IRF40B207

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 95A TO-220AB

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)

Noliktavā

RFQ

SUD50N03-06P-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 84A TO252

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

IRFR9120NTRPBF

Apraksts: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)

Noliktavā

RFQ

NTMFS4927NT3G

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 38A SO-8FL

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

RFQ

NTD5865N-1G

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 43A DPAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

RFQ

FDP083N15A-F102

Apraksts: MOSFET N-CH 150V 83A TO220-3

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

RFQ

IRF1324SPBF

Apraksts: MOSFET N-CH 24V 195A D2-PAK

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)

Noliktavā

RFQ

NTD80N02-001

Apraksts: MOSFET N-CH 24V 80A IPAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

RFQ

SQ9945BEY-T1_GE3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 60V 5.4A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

2SK3466(TE24L,Q)

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 5A SC-97

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RFQ

IRFPG30PBF

Apraksts: MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-247AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

IPB65R310CFDAATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH TO263-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)

Noliktavā

RFQ

STP5N95K5

Apraksts: MOSFET N-CH 950V 3.5A TO220

Ražotāji: STMicroelectronics

Noliktavā

RFQ

SQ9945AEY-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 60V 3.7A 8SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

IXTT20P50P

Apraksts: MOSFET P-CH 500V 20A TO-268

Ražotāji: IXYS Corporation

Noliktavā

RFQ

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

Iepriekšēja reģistrācija

SQ9407EY-T1_GE3

Pieprasīt citātu

atsauces cena (ASV dolāros)

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

SIRA00DP-T1-GE3

AON6410

5LN01SS-TL-H

SIA810DJ-T1-E3

IRL3103PBF

IRF40B207

SUD50N03-06P-E3

IRFR9120NTRPBF

NTMFS4927NT3G

NTD5865N-1G

FDP083N15A-F102

IRF1324SPBF

NTD80N02-001

SQ9945BEY-T1_GE3

2SK3466(TE24L,Q)

IRFPG30PBF

IPB65R310CFDAATMA1

STP5N95K5

SQ9945AEY-T1-E3

IXTT20P50P

Izvēlēties valodu

Pašreizējā valoda