Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > SISA66DN-T1-GE3
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
3797592SISA66DN-T1-GE3 attēlsElectro-Films (EFI) / Vishay

SISA66DN-T1-GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
6000+
$0.434
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    SISA66DN-T1-GE3
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 30V 40A POWERPAK1212
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
  • Datu lapas
    SISA66DN-T1-GE3.pdf
  • ECAD modelis
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.2V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    +20V, -16V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    PowerPAK® 1212-8
  • Sērija
    TrenchFET® Gen IV
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.3 mOhm @ 15A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    52W (Tc)
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    PowerPAK® 1212-8
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Ražotāja standarta svina laiks
    32 Weeks
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    3014pF @ 15V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    66nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    4.5V, 10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    30V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 30V 40A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    40A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “SISA66DN-T1-GE3” saistītie produkti.
SISA10DN-T1-GE3

SISA10DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 30A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SISC185N06LX1SA1

SISC185N06LX1SA1

Apraksts: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
SISA16DN-T1-GE3

SISA16DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V D-S PPAK 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SISA18ADN-T1-GE3

SISA18ADN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SISA24DN-T1-GE3

SISA24DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAK1212

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SISA72DN-T1-GE3

SISA72DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAK1212

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SISC624P06X3MA1

SISC624P06X3MA1

Apraksts: SMALL SIGNAL+P-CH

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
SISC262SN06LX1SA1

SISC262SN06LX1SA1

Apraksts: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
SISC050N10DX1SA1

SISC050N10DX1SA1

Apraksts: MOSFET N-CHAN SAWED WAFER

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
SISA04DN-T1-GE3

SISA04DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 40A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SISA96DN-T1-GE3

SISA96DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 16A POWERPAK1212

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SISA26DN-T1-GE3

SISA26DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAK1212

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SISC29N20DX1SA1

SISC29N20DX1SA1

Apraksts: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
SISA12ADN-T1-GE3

SISA12ADN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 25A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SISB46DN-T1-GE3

SISB46DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 40V POWERPAK 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SISA14DN-T1-GE3

SISA14DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SISC06DN-T1-GE3

SISC06DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SISA34DN-T1-GE3

SISA34DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 40A POWERPAK1212

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SISC097N24DX1SA1

SISC097N24DX1SA1

Apraksts: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
SISA18DN-T1-GE3

SISA18DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsJaunumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.