Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > SISA34DN-T1-GE3
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
4118713SISA34DN-T1-GE3 attēlsElectro-Films (EFI) / Vishay

SISA34DN-T1-GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$0.62
10+
$0.518
100+
$0.389
500+
$0.285
1000+
$0.22
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    SISA34DN-T1-GE3
  • Ražotājs / zīmols
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 30V 40A POWERPAK1212
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    +20V, -16V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    PowerPAK® 1212-8
  • Sērija
    TrenchFET® Gen IV
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    6.7 mOhm @ 10A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    20.8W (Tc)
  • Iepakojums
    Cut Tape (CT)
  • Iepakojums / lieta
    PowerPAK® 1212-8
  • Citi vārdi
    SISA34DN-T1-GE3CT
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    1100pF @ 15V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    12nC @ 4.5V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    4.5V, 10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    30V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 30V 40A (Tc) 20.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    40A (Tc)
SISA24DN-T1-GE3

SISA24DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAK1212

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
SISC050N10DX1SA1

SISC050N10DX1SA1

Apraksts: MOSFET N-CHAN SAWED WAFER

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
SISA26DN-T1-GE3

SISA26DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAK1212

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
SISA14DN-T1-GE3

SISA14DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
SISB46DN-T1-GE3

SISB46DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 40V POWERPAK 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
SISA18ADN-T1-GE3

SISA18ADN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
SISC185N06LX1SA1

SISC185N06LX1SA1

Apraksts: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
SISA10DN-T1-GE3

SISA10DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 30A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
SISC06DN-T1-GE3

SISC06DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
SISA72DN-T1-GE3

SISA72DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAK1212

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
SISC097N24DX1SA1

SISC097N24DX1SA1

Apraksts: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
SISA96DN-T1-GE3

SISA96DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 16A POWERPAK1212

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
SISA04DN-T1-GE3

SISA04DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 40A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
SISA18DN-T1-GE3

SISA18DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
SISC262SN06LX1SA1

SISC262SN06LX1SA1

Apraksts: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
SISA66DN-T1-GE3

SISA66DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 40A POWERPAK1212

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
SISA16DN-T1-GE3

SISA16DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V D-S PPAK 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
SISA12ADN-T1-GE3

SISA12ADN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 25A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
SISC29N20DX1SA1

SISC29N20DX1SA1

Apraksts: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
SISA01DN-T1-GE3

SISA01DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V POWERPAK 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu