Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

*Kompānijas nosaukums
*Nosaukt
*Tituls

*Epasta adrese
*Tālruņa numurs

*Valsts
*Kontakta logs
*Notikuma datums

*Ziņa

Apmeklētājiem elektronikā 2024

Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.

Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > SIHU6N80E-GE3

RFQs/pasūtījums (0)

Latviešu

Latviešu

5474281

SIHU6N80E-GE3 attēls

Electro-Films (EFI) / Vishay

SIHU6N80E-GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā

1+

$2.69

10+

$2.428

100+

$1.951

500+

$1.517

1000+

$1.257

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

SIHU6N80E-GE3
Ražotājs / zīmols

Electro-Films (EFI) / Vishay
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

MOSFET N-CHAN 800V TO-251
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

SIHU6N80E-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tehnoloģija

MOSFET (Metal Oxide)
Piegādātāja ierīču komplekts

IPAK (TO-251)
Sērija

E
Rds On (Max) @ Id, Vgs

940 mOhm @ 3A, 10V
Jaudas izkliedes (maksimums)

78W (Tc)
Iepakojums

Tube
Iepakojums / lieta

TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
Darbības temperatūra

-55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips

Through Hole
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Lead free / RoHS Compliant
Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds

827pF @ 100V
Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs

44nC @ 10V
FET tips

N-Channel
FET iezīme

-
Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)

10V
Drain to avota spriegumam (Vdss)

800V
Detalizēts apraksts

N-Channel 800V 5.4A (Tc) 78W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C

5.4A (Tc)

Saistītās ziņas
Piegāde
Maksājums

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

NVIDIA RTX 5090 grafikas kartes GPU laukums ir 744 mm ², k...

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

Pārvadāšana

Maksājums

Šis ir ar “SIHU6N80E-GE3” saistītie produkti.

SIHU6N62E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 620V 6A TO-251

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHU5N50D-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251 IPAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHU3N50D-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHU5N50D-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251 IPAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHU2N80E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 2.8A IPAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHU6N65E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 6A IPAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHW23N60E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 23A TO-247AD

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHW33N60E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AD

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHU7N60E-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 7A TO-251

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHS90N65E-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 87A SUPER247

Ražotāji: Vishay Siliconix

Noliktavā

SIHW47N60E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 47A TO-247AD

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHU3N50DA-GE3

SIHU3N50DA-GE3

Apraksts: MOSFET N-CHANNEL 500V 3A IPAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHW47N65E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 47A TO-247AD

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHU7N60E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 7A TO-251

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHU4N80E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CHAN 800V TO-251

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHU3N50D-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHW70N60EF-GE3

SIHW70N60EF-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 70A TO-247AD

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHW61N65EF-GE3

SIHW61N65EF-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 64A TO247AD

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHW47N60EF-GE3

SIHW47N60EF-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 47A TO-247AD

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHW30N60E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 29A TO-247AD

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.

Seko mums

Noteikumi Pārkāpuma politika Pieprasiet cenu Par mums Sazinies ar mums Vietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.