Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > SIHU4N80E-GE3
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
141975SIHU4N80E-GE3 attēlsElectro-Films (EFI) / Vishay

SIHU4N80E-GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$2.25
10+
$2.029
100+
$1.63
500+
$1.268
1000+
$1.051
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    SIHU4N80E-GE3
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CHAN 800V TO-251
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    SIHU4N80E-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    IPAK (TO-251)
  • Sērija
    E
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.27 Ohm @ 2A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    69W (Tc)
  • Iepakojums
    Tube
  • Iepakojums / lieta
    TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    622pF @ 100V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    32nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    800V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 800V 4.3A (Tc) 69W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    4.3A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

2024/11/26
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “SIHU4N80E-GE3” saistītie produkti.
SIHU3N50DA-GE3

SIHU3N50DA-GE3

Apraksts: MOSFET N-CHANNEL 500V 3A IPAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHW23N60E-GE3

SIHW23N60E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 23A TO-247AD

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHS20N50C-E3

SIHS20N50C-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 20A TO-247AD

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHU5N50D-GE3

SIHU5N50D-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251 IPAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHU5N50D-E3

SIHU5N50D-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251 IPAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHW33N60E-GE3

SIHW33N60E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AD

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHU6N62E-GE3

SIHU6N62E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 620V 6A TO-251

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHS90N65E-E3

SIHS90N65E-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 87A SUPER247

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHU3N50D-E3

SIHU3N50D-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHU2N80E-GE3

SIHU2N80E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 2.8A IPAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHU3N50D-GE3

SIHU3N50D-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHP8N50D-GE3

SIHP8N50D-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHU7N60E-GE3

SIHU7N60E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 7A TO-251

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHU7N60E-E3

SIHU7N60E-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 7A TO-251

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHU6N80E-GE3

SIHU6N80E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CHAN 800V TO-251

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHW30N60E-GE3

SIHW30N60E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 29A TO-247AD

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHS90N65E-E3

SIHS90N65E-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 87A SUPER247

Ražotāji: Vishay Siliconix
Noliktavā
RFQ
SIHU6N65E-GE3

SIHU6N65E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 6A IPAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHP8N50D-E3

SIHP8N50D-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHS36N50D-E3

SIHS36N50D-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 36A SUPER-247

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.