Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > SIHP5N50D-GE3
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
2048521SIHP5N50D-GE3 attēlsElectro-Films (EFI) / Vishay

SIHP5N50D-GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1000+
$0.557
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    SIHP5N50D-GE3
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    1.SIHP5N50D-GE3.pdf
    2.SIHP5N50D-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    TO-220AB
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.5 Ohm @ 2.5A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    104W (Tc)
  • Iepakojums
    Tube
  • Iepakojums / lieta
    TO-220-3
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    18 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    325pF @ 100V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    20nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    500V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 500V 5.3A (Tc) 104W (Tc) Through Hole TO-220AB
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    5.3A (Tc)

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

2024/11/23

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

2024/11/22

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “SIHP5N50D-GE3” saistītie produkti.
SIHP30N60E-GE3

SIHP30N60E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHP5N50D-E3

SIHP5N50D-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHP33N60EF-GE3

SIHP33N60EF-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 33A TO-220-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHP6N40D-GE3

SIHP6N40D-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 400V 6A TO-220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHP4N80E-GE3

SIHP4N80E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CHAN 800V TO-220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHS20N50C-E3

SIHS20N50C-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 20A TO-247AD

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHP8N50D-GE3

SIHP8N50D-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHP33N60E-GE3

SIHP33N60E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 33A TO-220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHP38N60E-GE3

SIHP38N60E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 43A TO220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHP35N60E-GE3

SIHP35N60E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 32A TO220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHP7N60E-E3

SIHP7N60E-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 7A TO-220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHP6N40D-E3

SIHP6N40D-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 400V 6A TO-220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHP30N60AEL-GE3

SIHP30N60AEL-GE3

Apraksts: MOSFET N-CHAN 600V TO-220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHP7N60E-GE3

SIHP7N60E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 7A TO-220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHP30N60E-GE3

SIHP30N60E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB

Ražotāji: Vishay Siliconix
Noliktavā
RFQ
SIHS36N50D-E3

SIHS36N50D-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 36A SUPER-247

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHP8N50D-E3

SIHP8N50D-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHP6N65E-GE3

SIHP6N65E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 7A TO220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHP6N80E-GE3

SIHP6N80E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CHAN 800V TO-220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHP30N60E-E3

SIHP30N60E-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.