Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > SIHP35N60E-GE3
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
3924964SIHP35N60E-GE3 attēlsElectro-Films (EFI) / Vishay

SIHP35N60E-GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$7.01
10+
$6.256
100+
$5.13
500+
$4.154
1000+
$3.503
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    SIHP35N60E-GE3
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 600V 32A TO220AB
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    SIHP35N60E-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    TO-220AB
  • Sērija
    E
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    94 mOhm @ 17A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    250W (Tc)
  • Iepakojums
    Tube
  • Iepakojums / lieta
    TO-220-3
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    2760pF @ 100V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    132nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    600V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 600V 32A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    32A (Tc)

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

2024/11/26

NVIDIA RTX 5090 grafikas kartes GPU laukums ir 744 mm ², k...

2024/11/25

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

2024/11/23

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

2024/11/22

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “SIHP35N60E-GE3” saistītie produkti.
SIHP33N60EF-GE3

SIHP33N60EF-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 33A TO-220-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHP6N40D-E3

SIHP6N40D-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 400V 6A TO-220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHP7N60E-GE3

SIHP7N60E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 7A TO-220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHP6N65E-GE3

SIHP6N65E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 7A TO220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHP38N60E-GE3

SIHP38N60E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 43A TO220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHP30N60AEL-GE3

SIHP30N60AEL-GE3

Apraksts: MOSFET N-CHAN 600V TO-220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHP30N60E-GE3

SIHP30N60E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB

Ražotāji: Vishay Siliconix
Noliktavā
RFQ
SIHP4N80E-GE3

SIHP4N80E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CHAN 800V TO-220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHP6N40D-GE3

SIHP6N40D-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 400V 6A TO-220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHP28N60EF-GE3

SIHP28N60EF-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 28A TO-220-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHP28N65EF-GE3

SIHP28N65EF-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 28A TO-220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHP25N60EFL-GE3

SIHP25N60EFL-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 25A TO220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHP5N50D-GE3

SIHP5N50D-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHP30N60E-GE3

SIHP30N60E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHP28N65E-GE3

SIHP28N65E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 29A TO220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHP30N60E-E3

SIHP30N60E-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHP5N50D-E3

SIHP5N50D-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHP7N60E-E3

SIHP7N60E-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 7A TO-220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHP33N60E-GE3

SIHP33N60E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 33A TO-220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHP6N80E-GE3

SIHP6N80E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CHAN 800V TO-220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.