Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - masīvi > SIF912EDZ-T1-E3
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
4357171

SIF912EDZ-T1-E3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    SIF912EDZ-T1-E3
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET 2N-CH 30V 7.4A 6-POWERPAK
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    SIF912EDZ-T1-E3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    PowerPAK® (2x5)
  • Sērija
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    19 mOhm @ 7.4A, 4.5V
  • Jauda - maks
    1.6W
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    PowerPAK® 2x5
  • Citi vārdi
    SIF912EDZ-T1-E3TR
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    -
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    15nC @ 4.5V
  • FET tips
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
  • FET iezīme
    Logic Level Gate
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    30V
  • Detalizēts apraksts
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 30V 7.4A 1.6W Surface Mount PowerPAK® (2x5)
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    7.4A
  • Bāzes daļas numurs
    SIF912E

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “SIF912EDZ-T1-E3” saistītie produkti.
2N7002BKV,115

2N7002BKV,115

Apraksts: MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SOT666

Ražotāji: Nexperia
Noliktavā
RFQ
SI4900DY-T1-E3

SI4900DY-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
APTM50DUM38TG

APTM50DUM38TG

Apraksts: MOSFET 2N-CH 500V 90A SP4

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
SIZ904DT-T1-GE3

SIZ904DT-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 12A POWERPAIR

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
ALD114904PAL

ALD114904PAL

Apraksts: MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

Ražotāji: Advanced Linear Devices, Inc.
Noliktavā
RFQ
APTM100VDA35T3G

APTM100VDA35T3G

Apraksts: MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
IRF7104PBF

IRF7104PBF

Apraksts: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
NX3020NAKVYL

NX3020NAKVYL

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 0.2A SOT666

Ražotāji: Nexperia
Noliktavā
RFQ
SIF902EDZ-T1-E3

SIF902EDZ-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 20V 7A 6-POWERPAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI1016X-T1-E3

SI1016X-T1-E3

Apraksts: MOSFET N/P-CH 20V SOT563F

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SH8M70TB1

SH8M70TB1

Apraksts: MOSFET N/P-CH 250V 3A/2.5A SOP8

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
SIZ910DT-T1-GE3

SIZ910DT-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 40A POWERPAIR

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIFS-1

SIFS-1

Apraksts: CBL CLAMP BUNDLE WHITE FASTENER

Ražotāji: 3M
Noliktavā
RFQ
IRF7351PBF

IRF7351PBF

Apraksts: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8-SOIC

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
ZXMN2088DE6TA

ZXMN2088DE6TA

Apraksts: MOSFET 2N-CH 20V 1.7A SOT-26

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
FDMD8260LET60

FDMD8260LET60

Apraksts: MOSFET 2N-CH 60V 15A

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
IRF7756TRPBF

IRF7756TRPBF

Apraksts: MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
SQ1912EH-T1_GE3

SQ1912EH-T1_GE3

Apraksts: MOSFET 2 N-CH 20V 800MA SC70-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
NSTJD1155LT1G

NSTJD1155LT1G

Apraksts: MOSFET 2P-CH 8V 1.3A SC88

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
SI7224DN-T1-GE3

SI7224DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.