Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - masīvi > APTM100VDA35T3G
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
6475772

APTM100VDA35T3G

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    APTM100VDA35T3G
  • Ražotājs / zīmols
    Microsemi
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • ECAD modelis
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 2.5mA
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    SP3
  • Sērija
    POWER MOS 7®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    420 mOhm @ 11A, 10V
  • Jauda - maks
    390W
  • Iepakojums
    Bulk
  • Iepakojums / lieta
    SP3
  • Darbības temperatūra
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Chassis Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    5200pF @ 25V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    186nC @ 10V
  • FET tips
    2 N-Channel (Dual)
  • FET iezīme
    Standard
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    1000V (1kV)
  • Detalizēts apraksts
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1000V (1kV) 22A 390W Chassis Mount SP3
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    22A

Analog & Power Management ICs: The Key to Future Intell...

2025/02/11

USC Develops Chip-Based Pulse-Mode EPR Sensor for Electroni...

2025/02/10

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “APTM100VDA35T3G” saistītie produkti.
APTM10DHM05G

APTM10DHM05G

Apraksts: MOSFET 2N-CH 100V 278A SP6

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTM10DHM09TG

APTM10DHM09TG

Apraksts: MOSFET 2N-CH 100V 139A SP4

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTM100UM65DAG

APTM100UM65DAG

Apraksts: MOSFET N-CH 1000V 145A SP6

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTM100UM65SAG

APTM100UM65SAG

Apraksts: MOSFET N-CH 1000V 145A SP6

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTM10DAM02G

APTM10DAM02G

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 495A SP6

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTM10DHM09T3G

APTM10DHM09T3G

Apraksts: MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTM10AM05FTG

APTM10AM05FTG

Apraksts: MOSFET 2N-CH 100V 278A SP4

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTM100UM45FAG

APTM100UM45FAG

Apraksts: MOSFET N-CH 1000V 215A SP6

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTM10DDAM09T3G

APTM10DDAM09T3G

Apraksts: MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTM100U13SG

APTM100U13SG

Apraksts: MOSFET N-CH 1000V 65A J3

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTM10DAM05TG

APTM10DAM05TG

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 278A SP4

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTM10DDAM19T3G

APTM10DDAM19T3G

Apraksts: MOSFET 2N-CH 100V 70A SP3

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTM100UM65SCAVG

APTM100UM65SCAVG

Apraksts: MOSFET N-CH 1000V 145A SP6

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTM10AM02FG

APTM10AM02FG

Apraksts: MOSFET 2N-CH 100V 495A SP6

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTM100UM60FAG

APTM100UM60FAG

Apraksts: MOSFET N-CH 1000V 129A SP6

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTM100TDU35PG

APTM100TDU35PG

Apraksts: MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6-P

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTM100TA35SCTPG

APTM100TA35SCTPG

Apraksts: MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6P

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTM100TA35FPG

APTM100TA35FPG

Apraksts: MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6-P

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTM10DSKM09T3G

APTM10DSKM09T3G

Apraksts: MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTM100UM45DAG

APTM100UM45DAG

Apraksts: MOSFET N-CH 1000V 215A SP6

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsJaunumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.