Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - masīvi > SIB912DK-T1-GE3
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
2692537SIB912DK-T1-GE3 attēlsElectro-Films (EFI) / Vishay

SIB912DK-T1-GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
3000+
$0.196
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    SIB912DK-T1-GE3
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    SIB912DK-T1-GE3.pdf
  • ECAD modelis
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    PowerPAK® SC-75-6L Dual
  • Sērija
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    216 mOhm @ 1.8A, 4.5V
  • Jauda - maks
    3.1W
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    PowerPAK® SC-75-6L Dual
  • Citi vārdi
    SIB912DK-T1-GE3TR
    SIB912DKT1GE3
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    33 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    95pF @ 10V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    3nC @ 8V
  • FET tips
    2 N-Channel (Dual)
  • FET iezīme
    Logic Level Gate
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    20V
  • Detalizēts apraksts
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 1.5A 3.1W Surface Mount PowerPAK® SC-75-6L Dual
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    1.5A
  • Bāzes daļas numurs
    SIB912

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “SIB912DK-T1-GE3” saistītie produkti.
SIB911DK-T1-GE3

SIB911DK-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2P-CH 20V 2.6A SC75-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIB488DK-T1-GE3

SIB488DK-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 12V 9A SC75-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIB455EDK-T1-GE3

SIB455EDK-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 12V 9A SC-75-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIB457EDK-T1-GE3

SIB457EDK-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6L

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIB417EDK-T1-GE3

SIB417EDK-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 8V 9A SC75-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIB441EDK-T1-GE3

SIB441EDK-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 12V 9A PPAK SC75-6L

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIB433EDK-T1-GE3

SIB433EDK-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 9A SC-75-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIB419DK-T1-GE3

SIB419DK-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 12V 9A SC75-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIBF-10-F-S-AD

SIBF-10-F-S-AD

Apraksts: .050 SIBF ASSEMBLY

Ražotāji: Samtec, Inc.
Noliktavā
RFQ
SIB900EDK-T1-GE3

SIB900EDK-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIB422EDK-T1-GE3

SIB422EDK-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 9A SC-75-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIB437EDKT-T1-GE3

SIB437EDKT-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 8V 9A SC-75-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIB456DK-T1-GE3

SIB456DK-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 6.3A SC75-6L

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIB914DK-T1-GE3

SIB914DK-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 8V 1.5A PPAK SC75-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIBF-20-F-S-AD

SIBF-20-F-S-AD

Apraksts: .050 SIBF ASSEMBLY

Ražotāji: Samtec, Inc.
Noliktavā
RFQ
SIB452DK-T1-GE3

SIB452DK-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 190V 1.5A SC75-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIB911DK-T1-E3

SIB911DK-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2P-CH 20V 2.6A SC75-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIBF-25-F-S-AD

SIBF-25-F-S-AD

Apraksts: .050 SIBF ASSEMBLY

Ražotāji: Samtec, Inc.
Noliktavā
RFQ
SIB800EDK-T1-GE3

SIB800EDK-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 1.5A SC75-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIBF-05-F-S-AD

SIBF-05-F-S-AD

Apraksts: .050 SIBF ASSEMBLY

Ražotāji: Samtec, Inc.
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsJaunumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.