Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

*Kompānijas nosaukums
*Nosaukt
*Tituls

*Epasta adrese
*Tālruņa numurs

*Valsts
*Kontakta logs
*Notikuma datums

*Ziņa

Apmeklētājiem elektronikā 2024

Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.

Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > SIB488DK-T1-GE3

RFQs/pasūtījums (0)

Latviešu

Latviešu

3390947

SIB488DK-T1-GE3 attēls

Electro-Films (EFI) / Vishay

SIB488DK-T1-GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā

3000+

$0.216

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

SIB488DK-T1-GE3
Ražotājs / zīmols

Electro-Films (EFI) / Vishay
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

MOSFET N-CH 12V 9A SC75-6
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

SIB488DK-T1-GE3.pdf
ECAD modelis
Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Tehnoloģija

MOSFET (Metal Oxide)
Piegādātāja ierīču komplekts

PowerPAK® SC-75-6L Single
Sērija

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

20 mOhm @ 6.3A, 4.5V
Jaudas izkliedes (maksimums)

2.4W (Ta), 13W (Tc)
Iepakojums

Tape & Reel (TR)
Iepakojums / lieta

PowerPAK® SC-75-6L
Citi vārdi

SIB488DK-T1-GE3TR
SIB488DKT1GE3
Darbības temperatūra

-55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips

Surface Mount
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Lead free / RoHS Compliant
Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds

725pF @ 6V
Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs

20nC @ 8V
FET tips

N-Channel
FET iezīme

-
Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)

1.8V, 4.5V
Drain to avota spriegumam (Vdss)

12V
Detalizēts apraksts

N-Channel 12V 9A (Tc) 2.4W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6L Single
Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C

9A (Tc)

Saistītās ziņas
Piegāde
Maksājums

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

Pārvadāšana

Maksājums

Šis ir ar “SIB488DK-T1-GE3” saistītie produkti.

SIB455EDK-T1-GE3

SIB455EDK-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 12V 9A SC-75-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIB417EDK-T1-GE3

SIB417EDK-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 8V 9A SC75-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIB433EDK-T1-GE3

SIB433EDK-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 9A SC-75-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIB441EDK-T1-GE3

SIB441EDK-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 12V 9A PPAK SC75-6L

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIB800EDK-T1-GE3

SIB800EDK-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 1.5A SC75-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIB452DK-T1-GE3

SIB452DK-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 190V 1.5A SC75-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIB457EDK-T1-GE3

SIB457EDK-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6L

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIB422EDK-T1-GE3

SIB422EDK-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 9A SC-75-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIBF-10-F-S-AD

SIBF-10-F-S-AD

Apraksts: .050 SIBF ASSEMBLY

Ražotāji: Samtec, Inc.

Noliktavā

SIBF-25-F-S-AD

SIBF-25-F-S-AD

Apraksts: .050 SIBF ASSEMBLY

Ražotāji: Samtec, Inc.

Noliktavā

SIB914DK-T1-GE3

SIB914DK-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 8V 1.5A PPAK SC75-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIB456DK-T1-GE3

SIB456DK-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 6.3A SC75-6L

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIB900EDK-T1-GE3

SIB900EDK-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIB911DK-T1-E3

SIB911DK-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2P-CH 20V 2.6A SC75-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIB419DK-T1-GE3

SIB419DK-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 12V 9A SC75-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIBF-20-F-S-AD

SIBF-20-F-S-AD

Apraksts: .050 SIBF ASSEMBLY

Ražotāji: Samtec, Inc.

Noliktavā

SIBF-05-F-S-AD

SIBF-05-F-S-AD

Apraksts: .050 SIBF ASSEMBLY

Ražotāji: Samtec, Inc.

Noliktavā

SIB437EDKT-T1-GE3

SIB437EDKT-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 8V 9A SC-75-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIB911DK-T1-GE3

SIB911DK-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2P-CH 20V 2.6A SC75-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIB912DK-T1-GE3

SIB912DK-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.

Seko mums

Noteikumi Pārkāpuma politika Pieprasiet cenu Par mums Sazinies ar mums Jaunums Vietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.