Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > SIB411DK-T1-GE3
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
2684501SIB411DK-T1-GE3 attēlsElectro-Films (EFI) / Vishay

SIB411DK-T1-GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    SIB411DK-T1-GE3
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6L
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    SIB411DK-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    PowerPAK® SC-75-6L Single
  • Sērija
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    66 mOhm @ 3.3A, 4.5V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    2.4W (Ta), 13W (Tc)
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    PowerPAK® SC-75-6L
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    470pF @ 10V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    15nC @ 8V
  • FET tips
    P-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    1.8V, 4.5V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    20V
  • Detalizēts apraksts
    P-Channel 20V 9A (Tc) 2.4W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6L Single
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    9A (Tc)

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “SIB411DK-T1-GE3” saistītie produkti.
SIB406EDK-T1-GE3

SIB406EDK-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 6A SC-75-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIB408DK-T1-GE3

SIB408DK-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 7A PPAK SC75-6L

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIB-128-02-F-S-LC

SIB-128-02-F-S-LC

Apraksts: .100 SINGLE INTERFACE BEAM ASSEM

Ražotāji: Samtec, Inc.
Noliktavā
RFQ
SIB422EDK-T1-GE3

SIB422EDK-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 9A SC-75-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIB413DK-T1-GE3

SIB413DK-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 9A SC75-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIB417EDK-T1-GE3

SIB417EDK-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 8V 9A SC75-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIB419DK-T1-GE3

SIB419DK-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 12V 9A SC75-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIB412DK-T1-GE3

SIB412DK-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIB417AEDK-T1-GE3

SIB417AEDK-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 8V 9A PWRPACK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIB-129-02-F-S-LC

SIB-129-02-F-S-LC

Apraksts: .100 SINGLE INTERFACE BEAM ASSEM

Ražotāji: Samtec, Inc.
Noliktavā
RFQ
SIB-129-02-F-S

SIB-129-02-F-S

Apraksts: .100 SINGLE INTERFACE BEAM ASSEM

Ražotāji: Samtec, Inc.
Noliktavā
RFQ
SIB412DK-T1-E3

SIB412DK-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIB-130-02-F-S-LC

SIB-130-02-F-S-LC

Apraksts: .100 SINGLE INTERFACE BEAM ASSEM

Ražotāji: Samtec, Inc.
Noliktavā
RFQ
SIB417DK-T1-GE3

SIB417DK-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 8V 9A SC75-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIB415DK-T1-GE3

SIB415DK-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 9A SC75-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIB411DK-T1-E3

SIB411DK-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 9A SC75-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIB404DK-T1-GE3

SIB404DK-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 12V 9A SC-75-6L

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIB410DK-T1-GE3

SIB410DK-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 9A 8SO

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIB-130-02-F-S

SIB-130-02-F-S

Apraksts: .100 SINGLE INTERFACE BEAM ASSEM

Ražotāji: Samtec, Inc.
Noliktavā
RFQ
SIB414DK-T1-GE3

SIB414DK-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 8V 9A PPAK SC75-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.